电子系毕业设计模板

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1、摘要小二号宋体、加黑间空两格随着便携式电子设备的不断普及，人们对于高密度、高速度、低功耗以及低成本的非挥发存储器的需求也在与日俱增。目前，Flash仍是非挥发存储技术的主流，占据了非挥发存储器市场约90%的份额，但随着半导体工艺技术代的不断推进，Flash遇到了越来越多的瓶颈问题，比如浮栅厚度不能随着器件尺寸的缩小而无限制地减薄。关键词小四加粗：非挥发存储器;阻变存储器;灵敏放大器;III（正文之前的页码实用希腊字母）AbstractTimesNewRoman小二加粗Withthegrowingp

2、opularityofportableelectronicdevices,people’srequirementforhigh-density,high-speed,low-powerandlow-costnonvolatilememoryisalsoincreasing.KeywordsTimesNewRoman小四加粗:NonvolatileMemory;ResistiveRandomAccessMemoryIII（正文之前的页码实用希腊字母）目录小二号宋体、加黑、居中摘要IAbstractI

3、I目录III第1章绪论11.1研究意义11.2新兴非挥发存储器1第6章总结和展望36.1总结36.2展望3参考文献4目录中一级标题四号黑体加粗目录中二级标题小四宋体附录1英文原文附录2中文译文附录3电路原理图附录4关键程序正文之前的页码用希腊字母，从绪论开始使用数字表示页码III（正文之前的页码实用希腊字母）山东科技大学本科毕业设计（论文）第1章绪论中文小三黑体+数字小二1.1研究意义中文四号黑体加粗+数字四号TimeNewRoman加粗二十一世纪的社会是信息化的社会，而信息化社会的重要标志就是电

4、子化，虚拟化的生活逐渐在社会中其主导作用，以‘0’和‘1’为表征。1.2新兴非挥发存储器随着制作工艺的限制，传统flash的研究遇到很大的瓶颈，下面介绍四种新兴非挥发存储器。1.2.1磁阻式随机存取存储器中文小四黑体+数字小四TimeNewRoman加粗MRAM（MagnetoresistiveRandomAccessMemory，磁阻式随机存取存储器）的设计十分具有吸引力，作为一种非易失性存储器，它拥有低压操作的潜能，耐循环擦写能力强，同DRAM比较同样能进行高速操作，集成度高。MRAM使用一个

5、磁性隧道结存储器单元结构，放大隧道式磁阻（TunnelingMagnetoResistance，TMR）效应[1]参考文献必须在正文中应该引用的地方出现，并使用商标，字体为小四宋体。这个结构利用根据磁通量方向增加电阻的原理在写操作过程中，通过磁通量的存在和缺省对电阻级别进行控制，然后，在读操作过程中，电流以磁通量阻值为依据，存储为0或1，如图1.1所示引用图的时候，不能出现如上图所示字样，应该改为如图X.X所示。。2山东科技大学本科毕业设计（论文）图1.1隧穿结的基本结构和原理图的标题在图的下面，

6、5号字体中文宋体+英文数字TimeNewRoman表1.1对各种上文介绍的不挥发存储器的比较，可以得出如下结论：RRAM的存储材料相比其他不挥发存储器具有更好的CMOS工艺兼容性，因此，比较容易实现高密度、低成本生产制造。它同时具有低功耗的优点，另外在疲劳特性、速度、按比例缩小等方面都具有相当的潜力。表1.1各种不同不挥发存储器性能比较表的标题在表的上面，5号字体中文宋体+英文数字TimeNewRoman存储器类型FlashFeRAMMRAM挥发性非挥发非挥发非挥发单元尺寸()5-10>20>20

7、写/擦/读时间(ns)1us/1-100m80/80/8030/30/30多值存储能力有无无功耗低中等中等与CMOS兼容性不兼容一般一般寿命10e5>10e10不限相对成本中等高高表中的字体使用五号2山东科技大学本科毕业设计（论文）注意事项1．正文之前的页码使用I,II,III等希腊字母，从第一章开始使用数字作为页码2．正文中的括号使用（），不能使用()3．子标题的级别：1.当前级别（）下一级别①更低一级4．参考文献前面使用[1],[2],[3]等作为序号5．表的标题是五号字体，放在表的上面，标题

8、与正文的行距比正文的行距多0.5行，例如，正文的行距为1.5倍行距，则标题与正文的行距为2倍行距。6．图的标题是五号字体，放在图的下面，标题与正文的行距比正文的行距多0.5行，例如，正文的行距为1.5倍行距，则标题与正文的行距为2倍行距。7．图和表的标题，每章单独排序，如第二章的第三张表为表2.3数据比较如第三章的第四张图为图3.4硬件架构8．论文中的式子居中，式号在最右边，式子使用mathtype插入，如：（4.1）引用的时候，如下规范：是速度可采用式（4.1）进行计算。9．编辑