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时间:2019-06-19
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1、大学物理实验光敏电阻基本特性的测量深圳大学物理实验中心一、实验目的研究光敏电阻在光强一定的情况下的伏安特性。学习测绘光敏电阻光照特性曲线二.光敏电阻结构和基本特性光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器;入射光强,电阻减小,入射光弱,电阻增大。光敏电阻器的阻值随入射光线(可见光)的强弱变化而变化,在黑暗条件下,它的阻值(暗阻)可达1~10M欧,在强光条件(100LX流明)下,它阻值(亮阻)仅有几百至数千欧姆。+4+4+4+4+4空穴自由电子光敏电阻器通常由光敏层、玻璃基片(或树脂防潮膜)和电极等组成。光敏电阻工作原理图常见的光
2、敏电阻二.实验原理1.光敏电阻伏安特性光敏电阻在光强一定的情况下(偏振片角度不变)时,电阻是一个定值电阻。根据R=U/I,可得到光强不变时电阻是一条直线,它的斜率就是电阻的阻值。2.光敏电阻的光照特性光敏电阻的光照特性是指在一定电压下通过电阻的电流与光强之间的关系,实际应用过程中我们一般只需要考虑光敏电阻的光照特性。三.实验仪器光源以及电源聚光镜(2个)直流稳压电源万用表或者电流表光敏电阻(光电接收器)导轨和支架实验装置示意图四.实验步骤1.在光强不变(偏振片角度θ=60)的情况测量光敏电阻伏安特性,并画伏安特性曲线。u(V)I(mA)0.51.01.52.02
3、.53.03.5u(V)I(mA)4.04.55.05.56.06.57.02.在电源电压不变的情况下计算绘出光敏电阻的光照特性曲线。(u=5V)(I/I0-I的曲线,即cos2θ-I的曲线)θI0102030405060708090I(mA)θ(度)cosθcos2θ相对光强1.0901111.072100.9848080.9698460.9698461.032200.9396930.8830220.8830220.96300.8660250.750.750.85400.7660440.5868240.5868240.728500.6427880.413176
4、0.4131760.603600.50.250.250.47700.342020.1169780.1169780.38800.1736480.0301540.0301540.34290000三.数据处理1.画出伏安特性,光照伏安曲线。2.分析实验结果。四、思考题1、当光照达到一定的强度,光敏电阻的电阻会否再发生变化?2、如果我们改变电流电压方向,测量结果是否会发生变化?
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