欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:38753420
大小:62.50 KB
页数:11页
时间:2019-06-18
《用VASP4.6计算晶体硅能带实例》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、VASPVersion:4.6在此文中,我将用硅晶体作为实例,来说明如何用VASP4.6来计算固体的能带结构。首先我们要了解晶体硅的结构,它是两个嵌套在一起的FCC布拉菲晶格,相对的位置为(a/4,a/4,a/4),其中a=5.4A是大的正方晶格的晶格常数。在计算中,我们采用FCC的原胞,每个原胞里有两个硅原子。VASP计算需要以下的四个文件:INCAR(控制参数),KPOINTS(倒空间撒点),POSCAR(原子坐标),POTCAR(赝势文件)为了计算能带结构,我们首先要进行一次自洽计算,得到体
2、系正确的基态电子密度。然后固定此电荷分布,对于选定的特殊的K点进一步进行非自洽的能带计算。有了需要的K点的能量本征值,也就得到了我们所需要的能带。步骤一.—自洽计算产生正确的基态电子密度:以下是用到的各个文件样本:INCAR文件:SYSTEM=SiStartparameterforthisrun: NWRITE= 2; LPETIM=F write-flag&timer PREC =medium medium,highlow ISTART= 0 job :0
3、-new1-cont2-samecut ICHARG= 2 charge:1-file2-atom10-const ISPIN= 1 spinpolarizedcalculation?ElectronicRelaxation1 NELM = 90; NELMIN=8;NELMDL=10 #ofELMsteps EDIFF=0.1E-03 stopping-criterionforELM LREAL=.FALSE. real-spaceproj
4、ectionIonicrelaxation EDIFFG=0.1E-02 stopping-criterionforIOM NSW = 0 numberofstepsforIOM IBRION= 2 ionicrelax:0-MD1-quasi-New2-CG ISIF = 2 stressandrelaxation POTIM= 0.10 time-stepforionic-motion TEIN = 0.0 initial
5、temperature TEBEG= 0.0; TEEND= 0.0temperatureduringrunDOSrelatedvalues: ISMEAR= 0; SIGMA= 0.10broadeningineV-4-tet-1-fermi0-gausElectronicrelaxation2(details)Writeflags LWAVE= T writeWAVECAR LCHARG= T writeCHGCARVASP给INCAR文件中的很
6、多参数都设置了默认值,所以如果你对参数不熟悉,可以直接用默认的参数值。比如在这个例子中,下面的比较简单的INCAR文件也可以完成任务:SYSTEM=SiStartparameterforthisrun: PREC =medium medium,highlow ISTART= 0 job :0-new1-cont2-samecut ICHARG= 2 charge:1-file2-atom10-const EDIFF=0.1E-03 stopping-crit
7、erionforELM NSW = 0 numberofstepsforIOM IBRION= 2 ionicrelax:0-MD1-quasi-New2-CG ISIF = 2 stressandrelaxationKPOINT文件:我们采用自动的Monkhorst-PackK点撒取方式。对于类似于硅晶体的半导体材料,通常4x4x4的K点网格就够了。MonkhorstPack0MonkhorstPack44 400 0POSCAR文件:我们采用
8、FCC原胞,所以每个原胞包含两个硅原子Si5.389360.50.50.00.00.50.50.50.00.52Cartesian 0.0000000000000 0.00000000000 0.0000000000000 0.2500000000000 0.25000000000 0.2500000000000POTCAR文件不需要进行任何改动,只需将POTCAR文件从正确的赝势库里拷贝过来就行了。运行VASP进行完这一步的计算后,我们应该得到
此文档下载收益归作者所有