《场效应放大电路》PPT课件

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1、第3章场效应管放大电路Sect3.1、结型场效应管3.2、绝缘栅场效应管MOS3.3场效应管的主要参数3.4场效应管放大电路场效应管FET与三极管BJT的区别Sect1.BJT:是电流控制元件；FET:是电压控制元件。2.BJT参与导电的是电子—空穴，因此称其为双极型器件；FET是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子，称为单级型器件。3.BJT输入电阻较低，一般102~104；FET输入电阻高，可达109~1014场效应管的分类结型场效应管JFETMOS型场效应管MOSFET双极型三极管场效应三极管噪声较大较小温度特性受温度影响较大较小，可有零温度系数点输入电阻几十到几

2、千欧姆几兆欧姆以上静电影响不受静电影响易受静电影响集成工艺不易大规模集成适宜大规模和超大规模集成N基底：N型半导体PP两边是P区G(栅极)S源极D漏极一、结构导电沟道NPPG(栅极)S源极D漏极N沟道结型场效应管DGSDGSPNNG(栅极)S源极D漏极P沟道结型场效应管DGSDGS二、工作原理（以P沟道为例）UDS=0V时PGSDUDSUGSNNNNIDPN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。PGSDUDSUGSNNIDUDS=0V时NNUGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。PGSDUDSUG

3、SNNUDS=0时UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS0V，漏极电流ID=0A。IDPGSDUDSUGSUGS0、UGD

4、增加，呈恒流特性。ID三、特性曲线UGS0IDIDSSVP饱和漏极电流夹断电压转移特性曲线一定UDS下的ID-UGS曲线予夹断曲线IDUDS2VUGS=0V1V3V4V5V可变电阻区夹断区恒流区输出特性曲线0N沟道结型场效应管的特性曲线转移特性曲线UGS0IDIDSSVP输出特性曲线IDUDS0UGS=0V-1V-3V-4V-5VN沟道结型场效应管的特性曲线3.1、结型场效应管Sect3.1.1、结构与工作原理漏极D集电极C栅极G基极B源极S发射极E导通条件：UGS0UBE0UDS0UBC01)在一定UDS作用下,栅源极电压为负,栅源极勾道通,UGS决定电流iD的大小

5、2)沟道中只有一种截流子——单极型晶体管1、结构2.JFET工作原理N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，当UGS=0时，沟道较宽，在UDS的作用下N沟道内的电子定向运动形成漏极电流ID。当UGS＜0时，PN结反偏，PN结加宽，漏源间的沟道将变窄，ID将减小，当UGS继续向负方向增加，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UP。P+P+NGSDUDSIDDP+P+NGSUDSIDUGS预夹断UGS=UP夹断状态ID=0Sect导电沟道结型场效应管N沟道耗尽型P沟道耗尽型Sect结型场效应管的缺点：

6、1.栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。3.栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。2.在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。场效应管及其放大电路场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。结型场效应管按结构不同场效应管有两种:绝缘栅型场效应管本节仅介绍绝缘栅型场效应管按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类每类又有N沟道和P沟道之分绝缘栅场效应管漏极D栅极和其它电

7、极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。金属电极(1)N沟道增强型管的结构栅极G源极S1.增强型绝缘栅场效应管SiO2绝缘层P型硅衬底高掺杂N区GSD符号：由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014。漏极D金属电极栅极G源极SSiO2绝缘层P型硅衬底高掺杂N区由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。(2)N沟道增强型管的工作原理EGP型硅衬底N+N+GSD+–UGSED+–由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之