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时间:2019-06-18
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1、实验一电容式传感器的位移实验一、实验目的:了解电容式传感器结构及其特点。二、基本原理:利用平板电容C=εA/d和其它结构的关系式通过相应的结构和测量电路可以选择ε、A、d中三个参数中,保持二个参数不变,而只改变其中一个参数,则可以有测谷物干燥度(ε变)测微小位移(变d)和测量液位(变A)等多种电容传感器。三、需用器件与单元:电容传感器、电容传感器实验模板、测微头、相敏检波、滤波模板、数显单元、直流稳压源。四实验步骤:1、按图3-1安装示意图将电容传感器装于电容传感器实验模板上,判别CX1和CX2时,注意动极板接地,接法正确则
2、动极板左右移动时,有正、负输出。不然得调换接头。一般接线:二个静片分别是1号和2号引线,动极板为3号引线。2、将电容传感器电容C1和C2的静片接线分别插入电容传感器实验模板Cx1、Cx2插孔上,动极板连接地插孔(见图4-1)。图4-1电容传感器位移实验接线图1、将电容传感器实验模板的输出端Vo1与数显表单元Vi相接(插入主控箱Vi孔),Rw调节到中间位置。2、接入±15V电源,旋动测微头推进电容器传感器动极板位置,每间隔0.2mm记下位移X与输出电压值,填入表4-1。表4-1电容传感器位移与输出电压值X(mm)V(mv)3、
3、根据表4-1数据计算电容传感器的系统灵敏度S和非线性误差δf。一、思考题:试设计利用ε的变化测谷物湿度的传感器原理及结构?能否叙述一下在设计中应考虑哪些因素?实验二电涡流传感器位移实验一、实验目的:了解电涡流传感器测量位移的工作原理和特性。二、基本原理:通过高频电流的线圈产生磁场,当有导电体接近时,因导电体涡流效应产生涡流损耗,而涡流损耗与导电体离线圈的距离有关,因此可以进行位移测量。三、需用器件与单元:电涡流传感器实验模板、电涡流传感器、直流电源、数显单元、测微头、铁圆片。四、实验步骤:1、根据图8-1安装电涡流传感器。图
4、8-1电涡流传感器安装示意图图8-2电涡流传感器位移实验接线图1、观察传感器结构,这是一个平绕线圈。2、将电涡流传感器输出线接入实验模板上标有L的两端插孔中,作为振荡器的一个元件。3、在测微头端部装上铁质金属圆片,作为电涡流传感器的被测体。4、将实验模板输出端Vo与数显单元输入端Vi相接。数显表量程切换开关选择电压20V档。。5、用连结导线从主控台接入15V直流电源接到模板上标有+15V的插孔中。6、使测微头与传感器线圈端部接触,开启主控箱电源开关,记下数显表读数,然后每隔0.2mm读一个数,直到输出几乎不变为止。将结果列入
5、表8-1。表8-1电涡流传感器位移X与输出电压数据X(mm)V(v)7、根据表8-1数据,画出V-X曲线,根据曲线找出线性区域及进行正、负位移测量时的最佳工作点,试计算量程为1mm、3mm及5mm时的灵敏度和线性度(可以用端基法或其它拟合直线)。一、思考题:1、电涡流传感器的量程与哪些因素有关,如果需要测量±5mm的量程应如何设计传感器?2、用电涡流传感器进行非接触位移测量时,如何根据量程使用选用传感器。被测体材质对电涡流传感器特性影响一、实验目的:了解不同的被测体材料对电涡流传感器性能的影响。二、基本原理:涡流效应与金属导
6、体本身的电阻率和磁导率有关,因此不同的材料就会有不同的性能。三、需用器件与单元:除与实验三相同外,另加铜和铝的被测体圆盘。四、实验步骤:1、传感器安装同上.2、将原铁圆片换成铝和铜圆片。3、重复实验步骤,进行被测体为铝圆片和铜圆片时的位移特性测试,分别记入表8-2和表8-3。表8-2被测体为铝圆片时的位移为输出电压数据X(mm)V(v)表8-3被测体为铜圆片时的位移与输出电在数据X(mm)V(v)4、根据表8-2和表8-3分别计算量程为1mm和3mm时的灵敏度和非线性误差(线性度)。5、分别比较实验二十五和本实验所得结果进行
7、小结。 被测体面积大小对电涡流传感器的特性影响一、实验目的:了解电涡流传感器在实际应用中其位移特性与被测体的形状和尺寸有关。二、基本原理:电涡流传感器在实际应用中,由于被测体的形状,大小不同会导致被测体上涡流效应的不充分,会减弱甚至不产生涡流效应,因此影响电涡流传感器的静态特性,所以在实际测量中,往往必须针对具体的被测体进行静态特性标定。三、需用器件与单元:直流源、电涡流传感器、测微头、电涡流传感器实验模板、不同形状铝被测体二个、数显单元。一、实验步骤:1、传感器安装见图8-1,与前面静态特性实验相同。2、按照测静态特性实验
8、要求连接好测量线路。3、在测微头上分别用三种不同的被测铝圆盘进行电涡位移特性测定,分别记入表8-5。表8-5不同尺寸时的被测体特性数据X(mm)被测体1被测体24、根据表8-5数据计算目前范围内三种被测体1号、2号的灵敏度、并说明理由。实验三金属箔式应变片――单臂电桥性能实验一、实验目的:
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