《半导体电力开关器》PPT课件

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1、第2章半导体电力开关器件2半导体电力开关器件2.1电力二极管2.2双极结型电力晶体管BJT2.3晶闸管及其派生器件2.4门极可关断晶闸管GTO2.5电力场效应晶体管P－MOSFET2.6绝缘门极双极型晶体管IGBT*2.7*2.8自学2.9半导体电力开关模块和功率集成电路本章小结2电力开关器件家族树3电力开关器件发展史42.1电力二极管5电力二极管实物图52.1.1半导体PN结P型、N型半导体和PN结62.1.2半导体二极管基本特性—单向导电性正向接法时内电场被削弱，扩散运动强于漂移运动，掺杂形成的多数载流子导电，等效电

2、阻较小。反向接法时内电场被增强，漂移运动强于扩散运动，光热激发形成的少数载流子导电，等效电阻很大。7半导体二极管的符号及正反向接法72.1.2半导体二极管基本特性—单向导电性（续1）正向接法反向接法82.1.2半导体二极管基本特性—单向导电性（续2）一般表达式：反向时的表达式：正向时的表达式：Is：反向饱和电流92.1.2半导体二极管基本特性—单向导电性（续3）PN结高频等效电路102.1.3半导体电力二极管重要参数半导体电力二极管的重要参数主要用来衡量二极管使用过程中：是否被过压击穿是否会过热烧毁开关特性11额定电流的定义

3、：其额定发热所允许的正弦半波电流的平均值。当正弦半波电流的峰值为Im时，它可用下式计算：12当正弦半波电流的峰值为Im时，它可用下式计算：最大允许全周期均方根正向电流的定义：当二极管流过半波正弦电流的平均值为IFR时，与其发热等效的全周期均方根正向电流IFrms称为最大允许全周期均方根正向电流。13二极管电流定额的含义如手册上某电力二极管的额定电流为100A，说明：允许通过平均值为100A的正弦半波电流；允许通过正弦半波电流的幅值为314A；允许通过任意波形的有效值为157A的电流；在以上所有情况下其功耗发热不超过允许值。由

4、额定电流和最大允许全周期均方根正向电流的公式，得：14选择二极管电流定额的过程：求出电路中二极管电流的有效值IFrms；求二极管电流定额IFR，等于有效值IFrms除以1.57；将选定的定额放大1.5到2倍以保证安全。15半导体电力二极管的开关特性开关过程，由导通状态转为阻断状态并不是立即完成，它要经历一个短时的过渡过程；此过程的长短、过渡过程的波形对不同性能的二极管有很大差异；理解开关过程对今后选用电力电子器件，理解电力电子电路的运行是很有帮助的，因此应对二极管的开关特性有较清晰的了解。状态：过程：导通、阻断开通、关断16

5、半导体电力二极管的开关特性（续）二极管开通及反向恢复过程示意图17半导体电力二极管的开关特性（续）二极管关断过程示意图18半导体电力二极管重要参数有关半导体电力二极管使用特性和准则的几个重要参数是：最大允许反向重复峰值电压额定电流最大允许的全周期均方根正向电流最大允许非重复浪涌电流最大允许的PN结结温和管壳温度结－壳、壳－散热器热阻反向恢复时间19半导体电力二极管重要参数（续1）二极管关断电压、电流波形202.1.4二极管的基本应用整流续流212.2.1晶体管基极电流对集电极电流的控制作用2.2.2静态特性2.2.3电力三极

6、管使用参数和特性BJT(BipolarJunctionTransistor)或GTR(GiantTransistor)2.2双极结型电力晶体管BJT222.2.1晶体管基极电流对集电极电流的控制作用三极管的结构和符号232.2.1晶体管基极电流对集电极电流的控制作用(续1)载流子流向示意图242.2.1晶体管基极电流对集电极电流的控制作用(续2)基极电流控制集电极电流252.2.2三极管的静态特性三极管输入、输出特性262.2.3电力三极管使用参数和特性图2.9不同基极状态时，集－射极击穿电压1.集电极额定电压2.集电极额定

7、电流（最大允许电流）3.饱和压降4.基极电流的最大允许值5.开通和关断时间6.安全工作区27电力三极管的主要特点是电流驱动器件，控制基极电流就可控制电力三极管的开通和关断；开关速度较快；饱和压降较低；有二次击穿现象；能控制较大的电流和较高的电压；电力三极管由于结构所限其耐压难于超过1500V，现今商品化的电力三极管的额定电压、电流大都不超过1200V、800A;已经淘汰282.3晶闸管及其派生器件晶闸管实物图292.3.1逆阻型晶闸管SCR—两个三极管正反馈2.3.2逆导型晶闸管RCT2.3.3光控晶闸管LCT2.3.4双

8、向晶闸管TRIACIGBT2.3晶闸管及其派生器件302.3.1逆阻型晶闸管SCR—两个三极管正反馈晶闸管的结构、符号和结构模型31AGKVsRIAIC1IgVgRgIC2ICT1T2P1J1N1J2J3J2P2P2N1N2iB2(d)等效电路可控开通关断时：强迫其电流下降到维持电流以下通