《半导体制造技术》PPT课件

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1、半導體製造技術第2章半導體材料特性DELININSTITUTEOFTECHNOLOGYhttp://www.dlit.edu.tw©2005DLIT,Allrightsreserved授課老師：王宣勝課程大綱描述原子，包含其價電殼、能帶理論與離子。解釋週期表，同時說明離子鍵與共價鍵如何形成。由電流之流動觀點說明材料之3大分類。解釋電阻率、電阻與電容，並能詳細敘述這些參數於晶圓製造時之重要性。敘述純矽，同時說明為何其能成為最重要半導體材料之4項原因。解釋摻雜並且說明為何加入3價與5價摻質可使得矽成為有用之半導體材料。

2、討論p型矽(受體)與n型矽(施體)，描述加入摻質如何改變其電阻率並解釋pn接面。討論其他的半導體材料，描述砷化鎵之優缺點。原子結構物質元素核心質子中子價電殼電子分子化合物電子電子能量價電殼固態能帶理論離子碳原子的元素模式碳原子：原子核包含相同數目的質子(+)和中子，6個電子()繞原子核外圍軌道運轉。價電子電子(負電荷)中子(中性)原子數(質子數)核心(原子中心；包含質子和中子)軌道殼質子(正電荷)價電殼(原子外殼)C6++NN+NN++N+N------圖2.1氫原子模型的電子殼層圖2.2K=2L=8M=18N

3、=32O=32P=10Q=2Na和Cl的電子軌跡模型-----------Na11鈉原子氯原子Cl17-----------------圖2.3能帶半導體導電帶價電帶電子能量導電帶價電帶絕緣體電子能量導電帶價電帶重疊之能帶僅需一小能量便可傳導導體電子能量圖2.4能隙能隙NaClNa+當一個原子失去一個電子成為正離子Na11----------Cl當一個原子得到一個電子成為負離子Cl17------------------圖2.5週期表常用元素的特性離子鍵共價鍵元素週期表圖2.6Rf104Ha105Sg106Un

4、s107Uno108Une109IAIIAIIIBIVBVBVIBVIIBIBIIBIIIAIVAVAVIAVIIAVIIIAVIIIBHydrogenH11.008BerylliumBe49.012Na11Sodium22.989Li3Lithium6.9391224.312MgMagnesium19KPotassium39.102Ca2040.08CalciumSc21Scandium44.956Ti22Titanium47.90V23Vanadium50.942ManganeseMn2554.938Fe26I

5、ron55.847Co27Cobalt58.933Ni28Nickel58.71Rh45Rhodium102.91Zn30Zinc65.37As33Arsenic74.922Se34Selenium78.96Br35Bromine79.909Kr36Krypton83.80Al13Aluminum26.981Si14Silicon28.086P15Phosphorus30.974S16Sulfur32.064Cl17Chlorine35.453Ar18Argon39.948B5Boron10.811C6Carbon

6、12.011N7Nitrogen14.007O8Oxygen15.999F9Florine18.998Ne10Neon20.183He2Helium4.0026Rb37Rubidium85.47Sr38Strontium87.62Y39Yttrium88.905Zr40Zirconium91.22Nb41Niobium92.906Molybde-numMo4295.94Cr24Chromium51.996TechnitiumTc4399Ru44Ruthenium101.07Cd48Cadmium112.40Cu29

7、Copper63.54PalladiumPd46106.4SilverAg47107.87Sm62Samarium150.35Ga31Gallium69.72In49Indium114.82Ge3272.59GermaniumSn50Tin118.69Sb51Antimony121.75Te52Tellurium127.60I53Iodine126.904Xe54Xenon131.30Cs55Cesium132.90Ba56Barium1137.34La57Lanthanum138.91Hf72Hafnium178

8、.49Ta73Tantalum180.95W74Tungsten183.85Re75Rhenium186.2Os76Osmium190.2Ir77Iridium192.2Pt78Platinum195.09Au79Gold196.967Hg80Mercury200.59Tl81Thallium204.37Pb82Lead207.19Bi83Bismuth20