电平转换电路

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1、7.10电平转换电路在数字电路系统中，一般情况下，不同种类器件(如TTL、CMOS、HCMOS等)不能直接相连；电源电压不同的CMOS、HCMOS器件因输出电平不同也不能直接相连，这就涉及到电平转换问题。所幸的是目前单片机应用系统中的MCU、存储器、μP监控芯片、I/O扩展与接口电路芯片等多采用HCMOS工艺；另一方面74LS系列数字电路芯片已普遍被74HC系列芯片所取代。即数字电路系统中的门电路、触发器、驱动器尽可能采用74HC系列（或高速的74AHC系列）芯片、CD40系列或CD45系列的CMOS器件(速度较HCMOS系列慢，

2、但功耗比HC系列芯片低、电源电压范围宽。当电源电压大于5.5V时，CMOS数字逻辑器件就成了唯一可选的数字IC芯片)，尽量不用74LS系列芯片(速度与74HC系列相同，但电源范围限制为5.0V±5%、功耗大、价格甚至比74HC系列高)与74系列(在74系列中，只有输出级可承受高压的7406、7407OC门电路芯片仍在使用)。根据CMOS、HCMOS芯片输出高低电平特征、输入高低电平范围，在电源电压相同，且不大于5.5V情况下，这些芯片能直接相连。因此，在现代数字电子电路中只需解决不同电源电压CMOS、HCMOS器件之间的连接问题。

3、7.10.1高压器件驱动低压器件接口电路高压器件驱动低压器件(如5V驱动3V或9V驱动5V、3V)时，一般不能直接相连，应根据高压器件输出口结构(漏极开路的OD门、准双向或CMOS互补推挽输出)选择相应的接口电路。对于OD输出引脚，可采用图7-42(a)所示电路，上拉电阻R一般取10K～510K之间，具体数值与前级输出信号频率有关：输出信号频率高，如1MHz以上方波信号，R取小一些；输出信号频率低，R可取大一些，以减小输出低电平时上拉电阻R的功耗。对于CMOS互补推挽输出、准双向(如MCS-51的P1、P2、P3口)输出，须在两者

4、之间加隔离二极管，如图7-42(b)所示，其中电阻R选择与图(a)相同，二极管D可采用小功率开关二极管，如1N4148。前级输出高电平时,二极管D截止，后级输入高电平电压接近电源电压。当前级输出低电平时，二极管D导通，后级输入低电平电压=+(二极管导通压降)。显然<1.0V，当后级电路为HCMOS、CMOS器件时，只要输入级N沟MOS的阈值电压>1.0V，就能正常工作。图7-42高压器件驱动低压器件接口电路对于后级输入端已内置了上拉电阻（如准双向结构的MCS-51P1～P3口，等效上拉电阻约为30K），则外置上拉电阻R可以省略，如

5、图7-42(c)所示。7.10.2低压器件驱动高压器件接口电路低压器件驱动高压器件时，应根据前级输出口电路结构选择图7-43(a)～(g)所示电路作为相应的接口电路。当前级为OD输出结构时，如果前级输出高电平>(后级电源电压的二分之一)，可采用图(a)～(c)所示的接口电路，上拉电阻R取值原则与图7-42(a)相同。当处于截止状态的输出管不能承受高压，且两电源电压差小于后级输入高电平电压最小值时，可采用图（a）所示电路，该电路缺点是后级输入高电平电压=3.5V（前级电源电压为3.6V），仅比2.5V高1.0V，即输入高电平噪声容限

6、偏小；此外，输入高电平电压偏小，容易引起后级CMOS反相器P沟MOS管不能可靠截止，漏电流大，仅适用于两电源电压差不大的情形，当两电源电压差较大时，只能采用图(b)所示电路。反之，当处于截止状态的输出管可以承受高压时(如P89LPC900系列MCU引脚处于OD输出状态时），则采用图(c)所示电路，该电路后级输入高电平电平接近5.0V，噪声容限高。(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)图7-43低压器件驱动高压器件接口电路对于CMOS输出或准双向输出结构，可采用图(d)～(g)电路，其中图(d)也存在类似图(a)的缺点。7.10

7、.3非轨对轨运放构成的比较器驱动数字IC电路使用非轨对轨运放，如LM324、LM358、MC4558等构成的比较器驱动74HC数字电路芯片时，要特别留意非轨对轨运放输出高电平电压不满幅现象(即达不到电源电压)。例如，当电源电压为5.0V时，最大值约为3.5V；又如当电源电压为3.3V时，最大值约为1.8V。因此当运放电源电压为5.0V时，可通过1K～5.1KΩ电阻直接驱动电源电压为3.3V的74HC系列数字IC，如图7-44(b)所示。无须二极管隔离，否则会使具有施密特输入特性的74HC芯片，如74HC14六反相器等无法工作，如图

8、7-44(a)。而当运放电源电压与74HC数字IC电源电压均为3.3V，由于运放输出高电平电压=1.8V(3.3V-1.5V)远小于，驱动带施密特输入特性的74HC芯片外，尚需要外接上拉电阻，如图7-44(c)所示。图7-44由非轨对轨运放构成的比