中周模型在Multisim中的实现

《中周模型在Multisim中的实现》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、２０１２年１月１日现代电子技术Ｊａｎ．２０１２第３５卷第１期ＭｏｄｅｒｎＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＴｅｃｈｎｉｑｕｅＶｏｌ．３５Ｎｏ．１中周模型在Ｍｕｌｔｉｓｉｍ中的实现殷国东，张敏（哈尔滨工业大学（威海），山东威海２６４２０９）摘要：为了解决用Ｍｕｌｔｉｓｉｍ仿真高频单谐调谐振放大模块无中周模型的问题，通过对高频小信号放大模块的理论分析，总结出用ＬＣ电路模型替代中周电路模型的方法，做了高频单谐调谐振放大模块的仿真实验，获得了正确的仿真实验结果，该方法对用Ｍｕｌｔｉｓｉｍ仿真高频谐调谐振放大模块具有借鉴意义。关键词：高频电子；谐振放大器；中周；Ｍｕｌｔｉｓｉｍ

2、仿真中图分类号：ＴＮ７２２－３４文献标识码：Ａ文章编号：１００４－３７３Ｘ（２０１２）０１－０１９５－０４ＩｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏｎｏｆｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅｆｒｅｑｕｅｎｃｙｍｏｄｅｌｉｎＭｕｌｔｉｓｉｍＹＩＮＧｕｏ－ｄｏｎｇ，ＺＨＡＮＧＭｉｎ（ＨａｒｂｉｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｔＷｅｉｈａｉ，Ｗｅｉｈａｉ２６４２０９，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｏｓｏｌｖｅｔｈｅｐｒｏｂｌｅｍｔｈａｔｔｈｅｒｅｉｓｎｏｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅｆｒｅｑｕｅｎｃｙｍｏｄｅｌｂａｓｅｄｏｎＭｕｌｔｉｓｉｍ，ｔｈｒｏｕｇｈｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌａ

3、－ｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅｈｉｇｈ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｓｍａｌｌ－ｓｉｇｎａｌａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎｍｏｄｕｌｅ，ＬＣｃｉｒｃｕｉｔｍｏｄｅｌｉｓｓｕｍｍａｒｉｚｅｄｔｏｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅｆｒｅ－ｑｕｅｎｃｙｍｏｄｅｌ．Ｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｏｆｈｉｇｈ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｓｉｎｇｌｅ－ｒｅｓｏｎａｔｏｒａｍｐｌｉｆｉｅｒｍｏｄｕｌｅｉｓｐｅｒｆｏｒｍｅｄ．Ｔｈｅｃｏｒｒｅｃｔｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅ－ｓｕｌｔｓａｒｅｏｂｔａｉｎｅｄ．Ｔｈｉｓｍｅｔｈｏｄｓｈｏｕｌｄｂｅｕｓｅｄｆｏｒｒｅｆｅｒｅｎｃｅｆｏｒｔｈｅｓｉｍｕ

4、ｌａｔｉｎｇｔｈｅｈｉｇｈ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｓｉｎｇｌｅ－ｒｅｓｏｎａｔｏｒａｍｐｌｉｆｉｅｒｂａｓｅｄｏｎＭｕｌｔｉｓｉｍ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｈｉｇｈ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ；ｒｅｓｏｎａｔｏｒａｍｐｌｉｆｉｅｒ；ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅｆｒｅｑｕｅｎｃｙ；Ｍｕｌｔｉｓｉｍｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ式中：Ｌ为电感线圈的电感量；ＣΣ为调谐电路的总电０引言［２］；Ｃ２２；Ｃ容Σ＝Ｃ＋Ｐ１Ｃｏｅ＋Ｐ２Ｃｉｅｏｅ为晶体管的输出电高频单谐调谐振放大器实验是高频电子教学的容，Ｃｉｅ为晶体管的输入电容，Ｐ１为初级线圈的抽头系一个重要组成部分。中周在该实验中

5、损耗较多，增加了数，Ｐ２为变压器Ｔ１的变比。学生从理论上分析高频小信号放大器的难度。随着计算机仿真软件的发展，Ｍｕｌｔｉｓｉｍ仿真教学实验方式逐渐兴起。Ｍｕｌｔｉｓｉｍ包含丰富的虚拟仪器和电子元件库，学生可方便地完成原理图的设计、仿真、原型设计和测试。但在Ｍｕｌｔｉｓｉｍ中没有中周模型，通过对单谐调谐振放大器的原理分析，提出了中周模型仿真的替代方法，取得了满意的仿真效果，实验对Ｍｕｌｔｉｓｉｍ仿真单谐调谐振放大模块具有借鉴意义。１高频单谐调谐振放大器的原理及参数图１高频单谐调谐振电路图［１］高频单谐调谐振电路图如图１所示。其主要指１．２电压放大倍数标如下：

6、电压放大倍数Ａｖ０为：１．１谐振频率ｖｏ－Ｐ１Ｐ２ｙｆｅＡｖ０＝－＝电路的谐振频率ｆ０的表达式为：ｖｉｇΣ１－Ｐ１Ｐ２ｙｆｅｆ０＝（１）＝２２（２）２π槡ＬＣΣＰ１ｇｏｅ＋Ｐ２ｇｉｅ＋Ｇ１．３通频带电压放大倍数Ａｖ０下降到０．７０７倍所对应的频率收稿日期：２０１１－０９－２１１９６现代电子技术２０１２年第３５卷［３］范围称为放大器的通频带Ｂｗ，其表达式为：２ｍＳ，Ｃｉｅ＝１２ｐＦ，ｇｏｅ＝１／ｒｏｅ＝２５０ｍＳ，Ｃｏｅ＝４ｐＦ，Ｂｗ＝２Δｆ０．７＝ｆ０／ＱＬ（３）ｙｆｅ＝４０ｍＳ，ｙｒｅ＝３５０μＳ。式中ＱＬ为谐振电路的有载品质因数。表１晶体管３ＤＧ６主要

7、参数１．４矩形系数集电极反向集电集耗散功率特征频率矩形系数Ｋ为电压放大倍数下降到０．１倍的击穿电压最大电流ｖ０．１ＰＣＭ／ＷｆＴ／ＭＨｚＶｂｅｏ／ＶＩｃｍ／ｍＡＡｖ０时对应的频率与通频带Ｂｗ之比，即：３ＤＧ６Ａ１５２００．１１００Ｋｖ０．１＝２Δｆ０．１／２Δｆ０．７＝２Δｆ０．１／Ｂｗ（４）３ＤＧ６Ｂ２０２００．１１５０２仿真参数估算３ＤＧ６Ｃ２０２００．１２５０放大器工作在高频条件下，根据晶体管的π参数模３ＤＧ６Ｄ３０２００．１１５０［４－５］型设计谐振等效电路如图２所示。根据实验需要，输入信号的频率是１２ＭＨｚ，从表１中选择３ＧＤ６Ｃ即可满足要求。估

8、算时参照其在ｆ０＝３０ＭＨｚ，Ｉｅ＝２ｍＡ和Ｕｃｅ＝８Ｖ条件下的工