应变片测量组桥方式

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1、.下图为1/4桥（类型I）轴向应变配置中的应变计电阻：下图为1/4桥（类型I）弯曲应变配置中的应变计电阻：1/4桥（类型I）的应变计配置具有下列特性：· 单个有效应变计元素位于轴向或弯曲应变的主方向。· 具有补偿电阻（1/4桥完整电桥结构电阻）和半桥完整桥结构电阻。· 温度变化可降低测量精度。· 1000µε时的灵敏度为～0.5mVout/VEX输入。上级主题： 应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算1/4桥（类型I）的电路图电路图使用下列符号：· R1是半桥的完整电桥结构电阻。· R2是半桥的完整电桥结构电阻。· R3是1/4桥的完整电桥结构电阻，称为补偿电阻。.

2、.· R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计元素。· VEX是激励电压。· RL是导线电阻。· VCH是测量电压。通过下列方程将1/4桥配置的电压比率转换为应变单位。Vr是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子，RL是导线电阻，Rg是额定应变计电阻。下图为1/4桥（类型II）轴向应变配置中的应变计电阻：下图为1/4桥（类型II）弯曲应变配置中的应变计电阻：1/4桥（类型II）的应变计配置具有下列特性：· 有效应变计元素和无效应变计元素（1/4桥的温度传感元素，称为补偿电阻）。有效元素位于轴向或弯曲应变的方向。补偿应变计位于连接至应变样本的温

3、度电阻附近，但并未连接至应变样本，通常平行或垂直于主要的轴向应变方向。该配置常被误认为是半桥（类型I）配置，在半桥（类型I）配置中，R3为有效元素且连接至应变样本，用于测量泊松比的效应。· 完整桥结构电阻可使半桥保持完整。· 可补偿温度对测量产生的影响。· 1000µε时的灵敏度为～0.5mVout/VEX输入。上级主题： 应变计电桥配置相关概念..电桥传感器换算1/4桥（类型II）的电路图电路图使用下列符号：· R1是半桥的完整电桥结构电阻。· R2是半桥的完整电桥结构电阻。· R3是1/4桥的温度传感元素，称为补偿电阻。· R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效

4、应变计元素。· VEX是激励电压。· RL是导线电阻。· VCH是测量电压。通过下列方程将1/4桥配置的电压比率转换为应变单位。Vr是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子，RL是导线电阻，Rg是额定应变计电阻。下图为半桥（类型I）轴向应变配置中的应变计电阻：下图为半桥（类型I）弯曲应变配置中的应变计电阻：..半桥（类型I）的应变计配置具有下列特性：· 两个有效应变计元素，一个位于轴向应变方向，另一个平行或垂直于主要的轴向应变方向，作为泊松应变计。· 完整桥结构电阻可使半桥保持完整。· 轴向和弯曲应变的灵敏度较高。· 可补偿温度对测量产生的影响

5、。· 对主应变测量总效应的补偿由材料的泊松比确定。· 1000µε时的灵敏度为～0.65mVout/VEX输入。上级主题： 应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算半桥（类型I）的电路图电路图使用下列符号：· R1是半桥的完整电桥结构电阻。· R2是半桥的完整电桥结构电阻。· R3是有效应变计元素，用于测量泊松效应(-ε)导致的收缩。· R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计元素。· VEX是激励电压。· RL是导线电阻。· VCH是测量电压。通过下列方程将半桥（类型I）配置的电压比率转换为应变单位。..Vr是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率，GF是应变计

6、因子，v是泊松比，RL是导线电阻，Rg是额定应变计电阻。半桥（类型II）配置仅适用于测量弯曲应变。下图为半桥（类型II）弯曲应变配置中的应变计电阻：半桥（类型II）的应变计配置具有下列特性：· 两个有效应变计元素分别位于应变样本顶部的轴向应变方向，以及应变样本底部的轴向应变方向。· 完整桥结构电阻可使半桥保持完整。· 弯曲应变的灵敏度较高。· 不能测量轴向应变。· 可补偿温度对测量产生的影响。· 1000µε时的灵敏度为～1mVout/VEX输入。上级主题： 应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算半桥（类型II）的电路图..电路图使用下列符号：· R1是半桥的完整电

7、桥结构电阻。· R2是半桥的完整电桥结构电阻。· R3是用于测量收缩应变(+ε)的有效应变计元素。· R4是用于测量伸展应变(+ε)的有效应变计电阻。· VEX是激励电压。· RL是导线电阻。· VCH是测量电压。通过下列方程将半桥（类型II）配置的电压比率转换为应变单位。Vr是虚拟通道用于电压—应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子，RL是导线电阻，Rg是额定应变计电阻。全桥（类型I）配置仅适用于测量弯曲应变。下图为全桥（类型I）弯曲应变配置中的应变计电阻：..全桥（类型I）的应变计配置具有下列特性：· 四个有效应变计元素；两个位于应变样本顶部的弯曲应变方向，

8、两个位于应