一步一步精通单端反激式开关电源设计

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1、.一步一步精通单端反激式开关电源设计目录■系统应用需求3■步骤1_确定应用需求3■步骤2_根据应用需求选择反馈电路和偏置电压VB4■步骤3_确定最小和最大直流输入电压VMIN和VMAX，并基于输入电压和PO选择输入存储电容CIN的容量63.1、选择输入存储电容CIN的容量63.2、确定最小和最大直流输入电压VMIN和VMAX9■步骤4_输入整流桥的选择9■步骤5_确定发射的输出电压VOR以及钳位稳压管电压VCLO10■步骤6_对应相应的工作模式及电流波形设定电流波形参数KP：当KP≤1时，KP=KRP;当KP≥1时，KP=KDP14■步骤7_根据VM

2、IN和VOR确定DMAX16■步骤8_计算初级峰值电流IP、输入平均电流IAVG和初级RMS电流IRMS16■步骤9_基于AC输入电压，VO、PO以及效率选定MOS管芯片17■步骤10_设定外部限流点降低的ILIMIT降低因数KI17■步骤11_通过IP和ILIMIT的比较验证MOS芯片选择的正确性18■步骤12_计算功率开关管热阻选择散热片验证MOS芯片选择的正确性18■步骤13_计算初级电感量LP18■步骤14_选择磁芯和骨架，再从磁芯和骨架的数据手册中得到Ae，le，AL，和BW的参考值19■步骤15_设定初级绕组的层数L以及次级绕组圈数NS（

3、可能需要经过迭代的过程）25■步骤16_计算次级绕组圈数NS以及偏置绕组圈数NB26■步骤17_确定初级绕组线径参数OD、DIA、AWG26■步骤18_步骤23-检查BM、CMA以及Lg。如果有必要可以通过改变L、NP或NS或磁芯/骨架的方法对其进行迭代，知道满足规定的范围26■步骤24–确认BP≤4200高斯。如有必要，减小限流点降低因数KI27■步骤25–计算次级峰值电流ISP27■步骤26–计算次级RMS电流ISRMS27■步骤27–确定次级绕组线径参数ODS、DIAS、AWGS28■步骤28–确定输出电容的纹波电流IRIPPLE28■步骤29

4、–确定次级及偏置绕组的最大峰值反向电压PIVS,PIVB28■步骤30–参照表8，基于VOR及输出类型选择初级钳位电路中使用的钳位稳压管以及阻断二极管29■步骤31–根据表9选择输出整流管29■步骤32–输出电容的选择29■步骤33–后级滤波器电感L和电容C的选择30■步骤34–从表10选择偏置绕组的整流管30■步骤35–偏置绕组电容的选择30..■步骤36–控制极引脚电容及串联电阻的选择30■步骤37–根据图3、4、5及6中所示的参考反馈电路的类型，选用相应的反馈电路元件31■步骤38–环路动态补偿设计32..■系统应用需求交流输入最小电压：VAC

5、MIN，单位V交流输入最大电压：VACMAX，单位V交流输入电压频率：FL，单位HZ开关频率：FS，单位KHZ输出电压：Vo，单位V输出电流：IO，单位A电源效率：η负载调整率：SI损耗分配因子：Z空载功率损耗：P_NO_LOAD，单位MW输出纹波电压：VRIPPLE，单位MV■步骤1_确定应用需求●交流输入最小电压：VACMIN●交流输入最大电压：VACMAX输入（VAC）VACMIN（V）VACMAX（V）宽电压范围85265230或115倍压整流195265自定义自定义自定义●交流输入电压频率：FL50HZ或者60HZ，详见世界电网频率表。本例

6、设计取50HZ●开关频率：FS大于20KHZ，常用50KHZ~200KHZ，由MOSFET芯片决定。例TOP246Y开关频率频率为66KHZ/132KHZ,本例设计取132KHZ●输出电压：VO，本例设计取32V●输出电流：IO，本例设计取1.9A●电源效率：η低电压（5V以下）输出时，效率可取75%；中等电压（5V到12V之间）输出时，可选80%；高压（12V以上）输出时，效率可取85%；可参考MOSFET芯片厂商数据手册建议，如果没有更好的参考依据，可以使用80%本例设计取85%●负载调整率：SI参考产品规格书，TOP246Y提供4重负载调整率：

7、±10%，±2.5%，±1%，±0.2%本例取±0.2%●损耗分配因子：Z，如果Z=1，说明所有损耗都在次级侧。如果Z=0，说明所有损耗都在初级侧。如果没有更好的参考数据，可以使用Z=0.5。..●空载功率损耗：P_NO_LOAD，可参考MOSFET芯片厂商数据手册建议，本例取520MW●输出纹波电压：VRIPPLE，小于200MV■步骤2_根据应用需求选择反馈电路和偏置电压VB以TOP246Y为例：....■步骤3_确定最小和最大直流输入电压VMIN和VMAX，并基于输入电压和PO选择输入存储电容CIN的容量3.1、选择输入存储电容CIN的容量⑴输

8、入滤波电容器容量的选择（简单估算）为降低整流滤波器的输出纹波，输入滤波电容器的容量CI必须选的合适。令每单位