《LED晶片简介》PPT课件

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1、LED晶片知识简介半导体照明研究中心1.晶片是什么？1.1晶片是LED最主要的原物料之一，是LED的发光部件，LED最核心的部分，晶片的好坏将直接决定LED的性能。1.2晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族复合半导体物质构成。1.3在LED封装时，晶片来料呈整齐排列在晶片膜上。晶片整齐排列晶片表面照片2.晶片结构P电极P层P/N接合层N层N电极顶面图剖面图N电极GaNSi：GaNP电极透明保护层Al2O3集电层单电极晶片双电极晶片3.LED晶片构成材料及制造方法复合材料基座制作方法注GaPGaP液相磊晶(LPE)磷化镓GaAsPGaP气相磊晶(VPE)磷化砷镓AlGaAsGaAs液相磊晶(LPE

2、)砷化镓AlGaAs砷化铝镓AlGaInP磷化铝镓铟GaAs有机金属气相磊晶(MOVPE)吸收基座GaP透明基座InGaN氮化铟镓Sapphire有机金属气相磊晶(MOVPE)透明基座SiC(碳化硅)吸收基座4.复合半导体LED发光光谱紫外光紫蓝绿黄橙红红外GaPGaAs1-xPxAlxGa1-xAsx(AlxGa1-x)0.5In0.5PInxGa1-XN3004005006007008005.LED产业结构基座基座基座晶粒固晶焊線封裝基座(Diffusion)6.晶片参数6.1.晶片外观晶片形状为正方形或长方形,上表面有单电极或双电极,红光与黄光晶片多数为单电极晶片,且上表面

3、有正或负极.蓝/绿晶片多数为双电极,且一般圆形电极为正极.具体电极情况请参照晶片规格书.单电极正方形晶片双电极正方形晶片双电极长方形晶片高功率双电极晶片高功率双电极晶片6.晶片参数6.2.晶片尺寸晶片按尺寸分，较常用的有以下规格(1mil=25.4µm)小尺寸7*9mil9*11mil12*12mil10*18mil14*14mil15*15mil10*23min大尺寸24*24mil28*28mil40*40mil45*45mil60*60milChipSize：14mil×14mil±0.5milEmittingArea：12mil×12mil±0.5milBondingPa

4、d:3.8mil±0.5milChipThickness：7mil±0.5milElectrodematerial：AuCathodeN-CladdingCARTMQW*P-CladdingTransparentlayerReflectivelayerSubstrateAnode6.晶片参数6.3.晶片主要光电参数ItemSymbolConditionMinTypMaxUnitForwardVoltageVFIF=20mAV12.82.93.0VV23.03.13.2V33.23.33.4ReverseCurrentIRVR=5V--1mAWavelengthDIF=20mA

5、W1500-502.5nmW2502.5-505W3505-507.5W4507.5-510LuminousIntensityIVIF=20mAI1140150160mcdI2160170180I3180190200…………I10320330340I113403503606.晶片参数6.4.晶片主要极限参数ItemSymbolMaximumRatingUnitDCForwardCurrentIF30mAPulseForwardCurrentIFP100mAReverseVoltageVR5VOperatingTemperatureTopr-30to+85℃StorageTempe

6、ratureTstg-40to+100℃ESDsensitivity(HBM)*VESDS2000V7.晶片主要厂家/与型号编码1.晶元(Epistar)台湾最大的晶片生产商之一晶片编码原则(其晶片型号通常以ES-与ET-开头)8.磊芯片材料标准砷化铝镓AlGaAsEpi-wafermaterialstandard1.铝含量;指磊晶层中砷化铝含量.2.单异质结构singleheterostructure:仅有两层砷化铝镓磊晶层,一层p型,一层n型.发光区为p-n接面.3.双异质结构doubleheterostructure:有三层砷化铝镓磊晶层,一层为活性层,二层为背覆层.发光区

7、为活性层.4.去除基板型withoutsubsrate双异质结构;在砷化镓基板上,先长一层砷化铝镓磊晶,再将双异质结构长在此磊晶层上,最后将砷化镓基板去掉.其目的为减少砷化镓基板对所发出之红光吸收.5.芯片弯曲bow;量正面中心点与背面中心点之厚度查.6.厚度变量thicknessvariation:指在芯片上特定点间,厚度之差异.7.成长方式growth:指磊晶成长方式.8.传导型态conductiontype:指电性上传导之主要型态.9.渗入杂质dopant:指渗入基片或磊晶