集成电路制造相关术语

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1、1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting) 3.ACCESS：一个EDA（EngineeringDataAnalysis）系统 6.Alignmark(key)：对位标记 9.Ammonia 氨10.Ammoniumfluoride氟化铵 11.Ammoniumhydroxide氢氧化铵12.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13.Analog：模拟的 14.Angstrom 15.Anisotropic：各向异性（如POLYETCH 16.AQL(AcceptanceQualityLevel)

2、：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18.Antimony(Sb)锑 22.Arsine24.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 28.Benchmark：基准 30.Boat：扩散用（石英）舟 32.Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域

3、。 36.CIM：computer-integratedmanufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 39.Compensationdoping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。 40.CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。 41.Computer-aideddesign（CAD）：计算机辅助设计。 42.Conductivitytype：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流

4、子是空穴。 43.Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。44.Controlchart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。45.Correlation：相关性。46.Cp：工艺能力，详见processcapability。47.Cpk：工艺能力指数，详见processcapabilityindex。 48.Cycletime：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。49.Damage：损伤。50.Defectdensity：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。 51.Depletionimplant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗

5、尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。） 52.Depletionlayer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。 "53.Depletionwidth：耗尽宽度。 55.Depthoffocus（DOF）：焦深。 56.designofexperiments(DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。 58.developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液 59.diborane(B2H6)：乙硼烷，60.dichloromethane(CH2CL2)：二氯

6、甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。 61.dichlorosilane(DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。 062.die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。 63.dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；64.diffusedlayer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。 65.disilane(Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易

7、燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。 66.drive-in 68.effectivelayerthickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。 69.EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。 70.epitaxiallayer：外延层。 75.featuresize：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。 76.field-eff