FSS仿真Designer

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1、Ansoft分析频率选择表面FSS步骤一创建项目步骤二建立几何模型步骤三设定无穷阵列和边界步骤四设定入射波步骤五设定解步骤六解的后处理步骤一创建项目图1AnsoftDesigner界面1、在ProjectManager窗口中Project1默认工程上右击鼠标,选择Insert项目,插入PlanarEMDesign图2插入一个PlanarEMDesign也可以在菜单条目中直接点击PlanarEMDesign的图标图2菜单条中直接点击图标加入PlanarEMDesign2、在弹出的Layout窗口中点击None按钮,表示自己定义基板。图

2、3选择基板窗口3、存储工程。点击存盘图标(或选择菜单File/Save),输入工程名字hexagon,并存盘。最终工作界面如图4所示。图4最终工作界面步骤二建立几何模型1、建立基板结构。(1)点击工具栏图标图5点击Layersdialog(2)在弹出窗口中选择Stackup,准备AddLayer图6Stackup标签项中加入层AddLayer图7加入地层Gnd(3)加入介质层。点击AddLayer按钮,名字Botom,类型dielectric。点击材料,选择TeconicTLY(tm),截电常数2.2。(4)加入顶层,名字Top,类

3、型signal,材料PEC。设定结束后,EditLayout窗口如图8所示。图8完成设定层结构2、绘制双矩形环单元(1)绘制双矩形环单元内环。选定在Top层绘制,点击工具栏绘制多边形图标,在状态栏中依次输入四边形端点坐标,每输入一点回车。四点输入结束后,在绘图区点击鼠标右键,选Finish结束。四点坐标依次为(0,0),(5,0),(5,5),(0,5)。(2)绘制双矩形环单元外环。选定在Top层绘制,点击工具栏绘制多边形图标,在状态栏中依次输入四边形端点坐标,每输入一点回车。四点输入结束后,在绘图区点击鼠标右键,选Finish结束

4、。四点坐标依次为(0.5,0.5),(4.5,0.5),(4.5,4.5),(0.5,4.5)。图10绘得如图图11三维显示步骤三设定无穷阵列和边界1、点击工具栏Define/Editinfinitearray图标图12设定无穷阵列图标2、由于PBG单元形状是六边形,阵列单元不会完全包括六边形,而且该阵列行与行之间是交错的。设定CellGeometry的尺寸a=2.54mm,b=2.2mm。设定Attributes中,Skew为60deg,并选中Turenoninfinitearray。Scan中的角度无需设定(设定平面波入射时将影

5、响该值)。点击OK按钮后,Designer将提示有部分区域超出Array定义,点击确定按钮继续。结果如图14所示。图13设定Array图14完成设定InfiniteArray步骤四设定入射波1、在ProjectManager/Excitations上点击鼠标右键,选择加入平面波入射图15AddPlaneWaveExcitation2、在Excitations中增加了一个平面波入射,双击该项,修改入射角度Theta和Phi,都为0度,直射。图16设定入射波角度步骤五设定解1、在ProjectManager的Analysis上右击鼠标,

6、AddSolutionSetup。弹出窗口如图17所示。选择DoAdaptive,频率15GHz,精度0.01,最大迭带次数10。点击确定按钮,此时在Analysis下面多了Setup1/Adaptive条目,如图18所示图17设定解图18完成Adaptive定频解设定2、设定扫频解。在Analysis/Setup1上点击鼠标右键,选择AddFrequencySweep。在图20所示的Sweep1窗口中,设定扫频范围8GHz~22GHz,频点21个,点击Add按钮,将该方案加入右侧窗口(将其中默认的1到10GHz的方案删除),点击O

7、K按钮结束。测试解的设定情况如图21所示。图19开始设定扫频解图20设定扫频解图21完成解的设定3、保存工程,执行planarEM->solutionsetup->meshoverlay命令。4、在ProjectManager中,Analysis/Setup1上点击鼠标右键,选择StartAnalysis项,开始分析。步骤六解的后处理1、在ProjectManager中,Result上点击鼠标右键,选择CreateReport项图22CreateReport1、保持CreateReport弹出窗口的默认设定,ReportType:S

8、tandard,DisplayType:RectangularPlot,点击OK按钮图23CreateReport弹出窗口2、在Traces窗口中,选择ReflectionCoefficient的R(H,H)和R(V,V),代表两个方

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