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《高阻表面交指形电容设计公式的改进》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第12期电子学报Vol.35No.122007年12月ACTAELECTRONICASINICADec.2007高阻表面交指形电容设计公式的改进1,2111郑秋容,李有权,张辉,袁乃昌(11国防科学技术大学电子科学与工程学院,湖南长沙410073;21空军工程大学电讯工程学院,陕西西安710077)摘要:本文采用保角变换法和电容拼接技术对交指形电容进行精确的计算,对交指形高阻表面光子晶体设计公式进行了改进.该计算模型适用于宽范围的介电常数和介质层厚度,各指长度和缝隙宽度可以不同,并且很容易扩展到多层介质以及有覆盖层的情况.设
2、计了三个光子晶体例子,对其表面波特性进行了模拟和测试,得出交指电容值,证明本文给出的计算公式更准确.关键词:高阻表面;保角变换法;交指形电容;表面波特性中图分类号:TN011文献标识码:A文章编号:0372-2112(2007)12-2319-05RevisionofInter-DigitalCapacitanceofHighImpedanceGroundPlaneDesignFormulas1,2111ZHENGQiu-rong,LIYou-quan,ZHANGHui,YUANNa-ichang(11CollegeofEl
3、ectronicScienceandEngineering,NUDT,Changsha,Hunan410073,China;21TelecommunicationEngineeringCollege,AirforceEngineeringUniversity,Xi.an,Shaanxi710077,China)Abstract:Conformalmapping-basedmethodandpartialcapacitancemethodaregiventoaccuratelycalculateinter-digitalca-
4、pacitanceandtheinter-digitalhighimpedancegroundplane(HIGP)designformulasarerevised.Themodelsareusefulforawiderangeofdielectricconstantsandlayerthickness.Everyfingerlengthandspacingmaybedifferent;moreover,thederivedformulascaneasilyextendtomult-ilayerdielectricinclu
5、dingcoverlayer.Threesamplesoftheinter-digitalhighimpedancegroundplanearemanufacturedandthesurfacewavepropagatingpropertyoftheinter-digitalHIGParesimulatedandtestedtodemonstratethepoten-tialofthemodels.Keywords:highimpedancegroundplane;conformalmappingtechnique;inte
6、r-digitalcapacitance;surfacewaveproperty各种天线接地面面积有限的场合有着广泛的应用前景.1引言但是单层和多层介质的交指形电容的全波分析比较复近年来交指电容作为一种集总元件已经广泛应用杂而且耗费时间,并且对于微波集成电路还是集成光电[1~4]于微波集成电路(MIC)和集成光电调制器.由于交调制器的设计都需要有一个闭合的解析表达式来计算指电容的品质因素Q值相对较高,结构紧凑,因此小尺交指形电容.在文献[2,5]中,给出的公式只限于单层均[5]寸大波长紧凑型的交指形高阻表面已引起人们极大匀介
7、质以及缝宽和指长都相等的情况.从文献[2,8]中的兴趣.特别在相控阵天线阵列中,天线单元间距不能电容公式的推导可以发现,这些公式没有考虑交指终端超过二分之一自由空间波长,否则会在方向图中出现栅的电容、电容端头宽度和有限的介质层厚度对交指电容瓣.天线单元之间只能容纳2-3个sievenpiper光子晶体的影响.当交指长度与宽度可比拟时,由文献[2,5]给出[6,7]单元.在光子晶体的设计中,要想降低光子晶体的的电容公式将会产生较大误差.[4,9]频率,可以通过增大电感和电容来实现.但是当制备材本文采用保角变换法和电容拼接技术推
8、导单料(厚度,介电常数)确定后,电感基本就确定了,而电容层和多层介质上的交指电容的闭合表达式.该方法考虑可以通过改变周期单元的结构来实现.交指形电容可以了交指间的电容和交指终端的电容.总电容表示为交指大大地增加单元之间的电容,从而使谐振频率降低,达间的电容和交指终端电容的总和.本文的第2部
