n-GaN基TiAlNiAu的欧姆接触高温特性

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1、第!"卷!第#期半!导!体!学!报6789!"!)79#!$$%年#月&'()*+*,-./)01-2+*3(&-)4.&5-/+,:;

2、加而增大!且增加幅度与掺杂浓度有密切关系9掺杂浓度越高!其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢&重掺杂样品的5I*08*)I*0:Y;YZH)欧姆接触具有更佳的高温可靠性&当样品被施加N$$l!KG的热应力后!其接触电阻率表现出不可恢复性增加9关键词!欧姆接触&接触电阻率&退火&高温76??$%LO$&&MK#$f&%LO$+中图分类号!5)L$#!!!文献标识码!0!!!文章编号!$!NLYOK%%"!$$%#$#Y$M"OY$N还鲜有报道9B!引言C!实验ZH)材料由于具有优秀的物理化学性能以及广泛的应用前景一直吸引着

3、人们的研究兴趣9ZH)利用3-&64技术在蓝宝石衬底"O$$#上!%R是宽带隙和直接带隙半导体材料!熔点高.热导率沿"$$$K#方向生长;YZH)!生长步骤为$首先用氢高!其导带结构使饱和速率达L]K$%等离子体对衬底进行清洗!清洗过后生长K厚的@R*B!是制造%R紫.蓝发光二极管"1*4#.激光器"14#及光电探测K%ZH)层!其中掺杂浓度分别为SDbL^%]K$器的理想材料9同时ZH)在高温.高功率微电子器[L!SK"[L&生长完成后对样品表面@RDbL^$]K$@R件方面也有着广阔的应用前景9自从ZH)基场效应进行反应

4、离子刻蚀"/(*#!用传统的台面隔离方法器件问世及应用以来!其高温特性受到人们的关注刻蚀台阶结构!然后在ZH)晶片上蒸发四层不同'K(和研究9由于欧姆接触是制造许多光电器件"如金属合金序列5I*08*)I*0:"KN;R*!!$;R*O$;R*'*35!3iWY1*4等#的关键工艺!因此对于N$;R#!合金条件分别为"$$l!L$B&M$$l!L$B&ZH)基器件欧姆接触温度特性的研究成为当前人MN$l!L$B9'!!L(们关注的课题之一9特别是高温恶劣环境下!欧高温测量部分的装置是整个实验的关键和难姆接触的特性变化还未见有

5、深入研究9点9我们对欧姆接触样品采用热稳定性较好的超声我们把高温环境分为以下几种情况$首先是样引线键合!非气密性双列直插"4(=#陶瓷封装!然后品经高温退火形成欧姆接触后在室温下测其可靠置于气密性比较好的高温箱式炉中!用耐高温导线性&其次!样品在形成欧姆接触后在封闭的高温环境连接被测封装样品!同时为避免样品在高温环境中'O(中放置不同时间后!在室温下测其可靠性&以及样氧化!测量过程中始终通以高纯氮气!通过流量计加品在形成欧姆接触后!直接在高温环境工作中研究以控制9测量设备采用高精度f*(5'1*_!O$$源其欧姆接触的可靠性

6、及其退化情况9和f*(5'1*_!$$$多功能数字表并配以+@H;从以上可以看出!前两种情况都是在高温环境&H>D实现对各个测量点的瞬间测量!保障了多个被下!形成欧姆接触或高温存储后在室温下进行测量!测点能够在同一温度下采集数据&整个测试系统的目前的研究现状也基本都局限于这两种情况9关于终端应用计算机通过程序来控制所有测量仪表9本高温工作环境下!ZH)基欧姆接触的温度稳定性和测试系统具有自动化.人机分离等特点!系统结构如'N(可靠性!尤其是当工作温度达到N$$l时的结果!图K所示9"国家高技术研究发展计划资助项目"批准号$!

7、$$#00$L0KK!#P通信作者9*RHI8$GH;QF!HA:>HAI7;E!结果与讨论E9B!欧姆接触的退火特性我们对制备的多层合金欧姆接触样品5I*08*)I*0:"KN;R*!!$;R*O$*;R*N$;R#;YZH)"

8、SDbK%[L#进行了三种不同退火工艺!分别为L^%]K$@R图L!不同测量温度下5I*08*)I*0:YZH)""$$l!L$B#欧姆"$$l!L$B&M$$l!L$B&MN$l!L$B9应用513法在接触间电阻与接触间距的关系室温下对其进行AWM特性测量!结果如图!所示92IQ9L!5