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《Ku 波段 PHEMT 单片低噪声放大器的设计与实验》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第期电子学报。,,吕年月!波段单片低噪声放大器的设计与实验‘一!乔宝文戚友芹都西萍刘军王军贤南京电子器件研究所,南京提要通过分析微波单片集成电路与常用的微波立体电路的不同点,讨论了采用通用的微波电路软件进行精确设计的有效途径着重分析了在软件中如何建立三类用元件有源器件、无源元件及由工艺决定的特有图形元件电路模型
2、的方法借助这一分,,,析使用通用的微波电路软件完成了波段两级“入们单片低噪声放大器的设计与研制,取得了与一,设计值十分相近的实验结果在的频率范围内噪声,,系数土相关增益士为国内目前的最好结果关键词膺配高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,低噪声,计算机优化,以
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5、ighlecrobiliitoPHEMT)MMICb(二motimizationom)CAI叩Ls,置于一块公气基片上与常规的微波电路相比有、.一引言,不同的设计考虑国外为了适应这种要求已开发出.,高速电子迁移率晶体管(Hl:MT)微波单片电路若干大型MMICCAI〕软件包但在国内迄今尚无.一成熟的软件可直接用于MMIC的完整设计本文的技术进展除了对单片工艺提出很高的要求(如异u.4一14.OGHz,通过K波段(13IC)P卜IEMIMM质材料的外延生长、深亚微米栅制备、低应力超薄层,LNA的设计与实验研制探讨了在目前条件下如何晶片加工等)外,在电路设计方
6、面,由于全部电路设-利用通用的PC机微波电路设计软件(如T(〕1JCll1997年5月收到,19年9月修改定稿97’,l,),〔,,,,,】,1on,anenun)uu:1aunxiananjingEleetniCDevieeSInstituteaI,〔hx叼ia(BwIYqHa(XipLNnJ9Qa(>Q呢jW眼J(Nro21()016)电子学报1998年,·.、rsSTONE)进行MMIC的精确设计=0n并取得实验与理L=p.03H038.论计算一致的良好结果2无源元件模型原则上应采用与上述PHE入们{同样的方法来建、二模型与单片设计考虑、、.立无源元
7、件(LRC等)的精确电路模型本工作中,=通用的微波电路CAI)软件用于MMIC的设因研制的低噪声放大器(LNA)带宽较窄(么fz,,a5600MH)电路拓扑采用了仅由微带段及电容组成计主要的困难在于制备在G八基片上的电路元.u,件由于基片的非理想介质特性,存在较强的射频寄的纯电抗匹配网络在K波段频率范围微带线在as,生藕合效应,,同时MMIC设计时除因CA基片损耗大需作修正外使元件的等效电路模型复杂化;,MMIC中元件布局十分紧密,造成元件间射频相互模型仍可沿通用的分析方法至于电容由于使用了.,在Ku波段频率范围内,作用进一步加剧因此MIC电路G入1〕软件
8、用于做在基片上的MIM电容.,,可视为仅在边缘存在一定的藕合电容因
