高压架空送电线路电磁环境计算

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1、低压电器(20眇增刊)现代建筑电气篇·发,输,供配电技术·高压架空送电线路电磁环境计算宋卫东(绵阳久远建设监理咨询有限公司)摘要:定量地对高压架空送电线路工频电场、工频磁场、无线电干扰场强计算,并与模拟类比测量值作比较。关键词:工频电场;工频磁场;无线电千扰O引言新的行业标准JGJ16_2008《民用建筑电气设计规范》第22章电磁兼容与电磁环境卫生中第22.2.1条和第22.2.5条对工频电场和磁场、高频电磁场强度作出了限值标准,这是建筑电气设计工作者必须遵守的规定,以确保电磁环境不影响人体健康及通信、电视、广播等不受影响。在作民用建

2、筑规划时,当有高压、超高压架空送电线路临近时,就需对其电磁环境计算,以确定电磁环境对民用建筑是否满足要求。l电磁环境计算现以某实际工程为例,110kV架空送电线路参数:导线类型LGJ一185,线径18.9mm,最大弧垂处线高7.5m,三相导线水平排列线间距5m,电流500A,电压110kV,因路径狭窄,按GB50293--1999(城市电力规划规范》附录B,考虑最大计算风偏,边导线距建筑物的水平距离为6m。(计算时,从最不利角度考虑,三角形排列线路以水平排列方式对电磁环境进行预测)。计算例图如图l所示。图1计算例图1.1工频电场强度计

3、算按照HJ/他4—1998(500kV超高压送变电一110一⋯鞋谢㈩一\A相/以魄/图2对地电压计算图X·发、输、供配电技术·低压电器(2009增刊)现代建筑电气篇各导线对地电压分量为Uc=(一33.4一j57.8)kV以此可以写成实部和虚部两个矩阵:叫割吲世8][A]矩阵由镜像原理求得。地面为等于零的平面,地面的感应电荷可由对应地面导线的镜像电荷代替,如图3所示。图3电位系数计算图电位系数为:A“=1/(2"treo)×,n(2hj/Ri)Ag=1/(2weo)x,n(£’F儿#)AF=如(2)(3)(4)式中8。——空气介电常数,

4、印=1/(36霄)×10—9F/mJR;——送电导线半径All=1/(2"rreo)×1.(2h/Ri)=1/(2ar60、×7.42A12=A2l=1/(2订60)×L(Ltl2/L12)=1/(2'heo)×1.15A13=A3l=1/(21rEo)×L(L’13)/L13)=1/(2"ireo)×0.59根据导线的对称关系,可知:A22=A332AllA23=A32=A12依次可写出电位系数矩阵r7.421.150.59]【A】=l/(21rso)l1.157.421.15lLo.591.157.42j一66。。.7.,][。7

5、..4。i{!{

6、;{三1][蓍;i][!三:;8]=1/(2,reo)[三要主薹;蒌][蓍习r10.18]【仉】-2,rr80I一5.39J×103c/mL一4.48jr_O.71]【QI】=21r‰l9.32l×103c/mL一9.18JE=去i驯半一学)㈩弘去i利半一半)(10)式中五、E——导线i的坐标(i=1、2、⋯、m)m——导线数量厶、厶’——分别为导线i及其镜像至计算点的距离各导线的坐标如图4所示则由P点(菇=11m、,,=1.5m)坐标可得:r12=(h—y)2+(舅-d)2--72m21"22=(h—y)2+菇2=

7、157Ill2—111—低压电器(2009增刊】现代建筑电气篇·发、输,供配电技术·y/、,3d伤dQ1\乏添\1\》:./多7Q;谚纠图4各导线坐标图r32=(h—y)2+(石+d)2=292m2r42=(h+y)2+(茗一d)2=1171112r52=(h+,,)2+菇2=202m2r62=(h+),)2+(髫+d)2=337m2实部电荷QR在P点产生的场强水平分量为:ER=1/(2xr占o){[Q1R(髫一d)/r12一QlR(菇一d)/r42]+[Q2Rx/r22一Q2Rx/r52]“Q3R(石+d)/r32一Q3R(x+d)

8、/r62]=0.209kV/m虚部电荷Q。在P点产生的场强水平分量为EI=1/(27reo){[QlI(戈一d)/r12)一QlI(菇一d)/r42]+[Q2lxlr22一Q2Ix/rs2]+[Q3I(石+d)/r32一Q3l(戈+d)/r62]}=o.056kV/m所以P点的场强水平分量为:E=(0.209+jo.056)kV/mE=知面矿丽=o.216kv/m实部电荷QR在p点产生的场强垂直分量为EyR=1/(2+r占o){[QlR(1,一h)/rl。一QlR(1,+h)/r,2]+[Q2R(y—h)/r22一’Q2R(1,+h)

9、/r52]+[Q3R(y—h)/r32一Q3R(y+h)/r62]}--0.973kV/m虚部电荷Q。在P点产生的场强垂直分量为E,I_1/(2w80){[Q。I(1,一h)/rI2一QIl(y+h)/r,2]+[Q2I

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