届半导体物理考试

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1、姓名学号学院专业座位号(密封线内不答题)……………………………………………………密………………………………………………封………………………………………线……………………………………线………………………………………_____________________…诚信应考,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《半导体物理》试卷2009.07.08注意事项：1.考前请将密封线内填写清楚；2.所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)；3．考试形式：闭卷；4.本试卷共六大题，满分100分，考试时间120分钟。题号一二三四五六总分得分评卷人一、选择题（10分）1.

2、本征半导体是指________导体A．不含杂质和缺陷B．电子密度和空穴密度相等C．电阻率最高D．电子密度和本征载流子密度相等2．砷化镓的导带极值位于布里渊区的________方向A．布里渊区中心B．<111>方向近边界处C．<100>方向近边界处D．<110>方向近边界处3.半导体的载流子扩散系数的大小决定于其中的A．符合机构B．散射机构C．能带结构D．晶体结构4.在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其________A．禁带较窄B．禁带是间接跃迁型C．禁带较宽D．禁带是直接跃迁型5.公式中的是载流子的___________A．渡越时间B

3、．寿命C．平均自由时间D．扩散系数一、解释下列概念（10分）1.空穴2.浅能级杂质3.声子4.迁移率5.光电导一、问答题（20分）1.如下图是有三种原子构成的二维晶体网格（1）画出布拉菲格子（2）画出两种形式的原胞，并分别指出每个原胞的原胞个数2.画出砷化镓的晶体结构示意图，并说明其能带特点一、证明题（20分）当且载流子的浓度，时，半导体材料的电导率最小，并求的表达式五、计算题（20分）光照如图所示，n型半导体样品，假设光被均匀吸收，电子空穴对的产生率是G，（小注入）在以下两种情况下分别求出稳态的非平衡空穴浓度分布（1）不考虑表面复合（2）在x=0的表面

4、的表面复合速度SXO六、计算题(20分)由金属-SiO2-P型硅组成的MOS结构，当外加电压使半导体表面少数载流子浓度ns与内部载流子浓度PP0相等时，作为临界强反型条件(1)试证明临街强反型时，半导体表面势，其中(2)画出临界强反型是半导体的能带图，标明相关符号，并把反型、耗尽、中性区各部分用竖线分开，用文字指明