平板显示中的双稳态技术_现状与进展_一_黄子强

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1、黄子强：平板显示中的双稳态技术：现状与进展(一)文章编号：1006-6268（2009）04-0005-06平板显示中的双稳态技术：专家的现状与进展(一)思考黄子强（电子科技大学光电信息学院，成都610054）摘要：介绍双稳态显示器件的原理、开展双稳态显示技术的意义和基本思路。在此基础上简要介绍现有比较成熟的几种双稳态显示器件的基本原理、基本特性、研究进展和存在的问题，包括以液晶材料为核心的双稳态器件、基于光干涉与机械双稳态机构的iMod显示器件、基于电泳现象的零电场双稳态E-ink显示器件。由于双稳态发展历史已经很久，本篇综

2、述的宗旨不在于介绍最新的发展状况，而在于为提供双稳态显示器件较为完整的创造思想和方法。在液晶显示单元双稳态化的基础上，作者提出OLED阵列、FED阵列的双稳态结构的原理与技术途径。提出通过现有技术的组合，实现显示器件双稳态化的大屏幕显示器件的发展思路。关键词：平板显示技术;双稳态;胆甾液晶;手性向列液晶中图分类号：TN141.9文献标识码：ABistableTechnologyinFlatPanelDisplay：ActualityandHeadwayHUANGZi-qiang(TheSchoolofOpto-electron

3、icInformation，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054,China)Abstract:Theprincipleofthebistabledisplaydevice,thesignificanceofbistabledisplaytechniqueandthebasiccluewereintroducedinthepaper.Basedonaboveknowledge,thecurrentbistabledisplaydevice

4、sanditsprinciple,researchheadwayandexistentproblemwerepresented,includingthebistabledevicesbasedonliquidcrystal,basedoncombinationoflightinterferenceandbistablemechanicdisplaydevice(iMod),baseonelectrophoresisofzeroelectricfieldbistableE-inkdisplaydevice.Duetohistor

5、yofdevelopmentofbistabledisplaydeviceisquitelong,Purposeoftheoverviewisnotonlyintroducethestatusofthefield,moreover,purposeoftheoverviewistoprovidethecreativeideasandthesolutionsforbistabledisplaydevice.Onthefoundationofbistableidea,thebistablestructureofOLEDarray,o

6、fFEDwillbepresented.Bycombinationofexistedtechnology,theclueofdevelopmentoflargescreendisplaybybistabletechnologyispresented.Keywords:flatpaneldisplay;bistable;cholestericliquidcrystal;chiralnematicmesophase收稿日期：2009-03-18Apr.，2009，总第99期现现代显示代显示AdvancedDisplay5黄子强：平

7、板显示中的双稳态技术：现状与进展(一)引言：问题的提出状态的长期储存条件，该状态将被存储到再次被触发的时刻。触发也分两种情况：气体放电发光器件被用于电视、计算机显示的高质量LCD（Liquid高压触发成为发光态，而被零电压触发为非发光态。专CrystalDisplay）通常为有源矩阵LCD。这种显示器PDP等离子显示器件的工作方式与之类似，在行扫家描期间外部驱动电路根据该行欲显示的内容予以触件需要在玻璃板上制造数以百万的薄膜晶体管（thin的思filmtransistor，TFT）阵列，用于驱动每一个LCD像发，扫描以后的邻近

8、一场的时间该行像素两端电极考素。为了制造TFT，需要在大基板（例如第5代生产被置为180V,或为存储态，PDP像素的发光态或不线基板尺寸为1,000x1,200mm2）上淀积多晶硅、发光态均要维持一场的时间，只有这样，PDP才能达金属层、绝缘层等，并进行3至5次精度在1μm左