soiex02全耗尽SOI-VT和亚阈值斜率

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1、soiex02.in：全耗尽SOI-VT和亚阈值斜率要求：SPISCES 最低版本：阿特拉斯5.16.3.R这个例子重复soiex01.in但一个已经设计操作与全耗尽SOI薄膜的装置。它表明：·使用Atlas语法基本SOI结构的定义 ·设置传输模式，包括碰撞电离 ·生成ID/VDS=0.1VVgs下曲线 ·从结果中提取的阈值电压和亚阈值斜率 ·绘图输出曲线和结构薄膜全耗尽SOIMOSFET的已被证明，以实现低阈值电压和近乎理想的逆阈斜坡。这使得他们理想的低功耗操作。这个例子表明，ATLAS是能力音响在soiex01.in部分耗尽的晶体管，在

2、这个例子中完全耗尽晶体管之间的差异。在这个例子中使用的语法和方法是相同的，只有两三个修改soiex01.in。网已被修改，以支持的0.1um的较薄的SOI薄膜厚度和地区语句上的SOI层的定义 也同样被改编。此外，通道掺杂已减少对 兴奋剂的语句，以确保电影完全耗尽。加载和运行这个例子，选择的负载例如在DeckBuild中的按钮。这将复制输入文件到当前工作目录和任何支持文件。选择运行按钮来执行的例子。goatlasTITLESOIdevicesimulation#SILVACOInternational1992,1993,1994,1995,1

3、996##0.1umofsiliconon0.4umoxidesubstrate#meshspace.mult=1.0#x.meshloc=0.00spac=0.50x.meshloc=1.15spac=0.02x.meshloc=1.5spac=0.1x.meshloc=1.85spac=0.02x.meshloc=3spac=0.5#y.meshloc=-0.017spac=0.02y.meshloc=0.00spac=0.005y.meshloc=0.05spac=0.02y.meshloc=0.1spac=0.01y.meshloc

4、=0.5spac=0.25#regionnum=1y.max=0oxideregionnum=2y.min=0y.max=0.1siliconregionnum=3y.min=0.1oxide##***********definetheelectrodes************##1-GATE#2-SOURCE#3-DRAIN#4-SUBSTRATE(belowoxide)#electrodename=gatex.min=1x.max=2y.min=-0.017y.max=-0.017electrodename=sourcex.max=0

5、.5y.min=0y.max=0electrodename=drainx.min=2.5y.min=0y.max=0electrodesubstrate##***********definethedopingconcentrations*****#dopinguniformconc=1e17p.typereg=2dopinggaussn.typeconc=1e20char=0.2lat.char=0.05reg=2x.r=1.0dopinggaussn.typeconc=1e20char=0.2lat.char=0.05reg=2x.l=2

6、.0saveoutf=soiex02_0.strtonyplotsoiex02_0.str-setsoiex02_0.set##setinterfacechargeseparatelyonfrontandbackoxideinterfacesinterfqf=3e10y.max=0.05interfqf=1e11y.min=0.05##setworkfunctionofgatecontactname=gaten.poly##selectmodelsmodelsconmobsrhaugerbgnfldmobprint#solveinit##d

7、oIDVGcharacteristic#methodnewtontrapsolveprevsolvevgate=-0.2solvevdrain=0.05solvevdrain=0.1##rampgatevoltagelogoutf=soiex02_1.logmastersolvevgate=0.1vstep=0.1name=gatevfinal=1.5##plotresultantIDVGthresholdvoltagecurvetonyplotsoiex02_1.log-setsoiex02_1.set##plotresultantIDV

8、Gsubthresholdslopecurvetonyplotsoiex02_1.log-setsoiex02_2.set##extractname="subvt"1.0/sl