太阳能级多晶硅的国家标准

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1、太阳能级多晶硅的国家标准链接：www.china-nengyuan.com/tech/9067.html太阳能级多晶硅的国家标准1范围本标准规定了太阳能级硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅为原料，生产的棒状多晶硅、粒状状多晶硅、包括块状多晶硅、碳头料和生产过程中的硅粉，以及采用物理提纯法提纯生产的多晶硅。产品主要用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本

2、标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1552硅、锗单晶电阻率测试直排四探针法GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T4059硅多晶气氛区熔磷检验法GB/T4060硅多晶真空区熔基硼检验法GB/T1558硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558测定硅晶体中代位碳含量红外吸收方法GB/T××××-200×硅多晶中基体金属杂质化学分析电感耦合等离子体质谱法GB/T14264半导体材料术语ASTMF1389-00光致荧光光谱测单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族

3、杂质ASTMF1724-01利用原子吸收光谱测量多晶硅表面金属杂质3要求3.1分类产品按外型分为块状、粒状、粉状和棒状多晶硅，根据纯度的差别分为3级。3.2牌号硅多晶牌号表示为：SOGPSi—1□—2□SOGPSi表示太阳能级硅多晶1□字母I表示棒状，N表示块状、G表示粒状、P表示粉状2□阿拉伯数字表示硅多晶等3.3技术要求页面1/5太阳能级多晶硅的国家标准链接：www.china-nengyuan.com/tech/9067.html3.3.1棒状、块状硅太阳能级棒状、块状多晶硅的纯度及相关技术要求应符合表1的规定。表1项目太阳能级硅多晶等级1级品2级品3级品N型电阻率，Ω▲cm≥50

4、≥15≥10P型电阻率，Ω▲cm≥500≥10≥103171717氧浓度，at/cm≤1.0×10≤1.0×10≤1.0×103161616碳浓度，at/cm≤2.5×10≤5.0×10≤5.0×10N型少数载流子寿命，μs≥100≥50≥10基体金属杂质，ppmwFe、Cr、Ni、Cu、Zn、CaFe、Cr、Ni、Cu、Zn、CaFe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al，、Mg、Al，、Mg、Al，TMI≤0.5TMI≤0.05TMI≤0.53.3.2粉状多晶硅粉状多晶硅的纯度及相关技术要求应符合表2的规定。表2项目太阳能级硅多晶等级1级品2级品P含量，ppma≤0.0017≤0

5、.006B含量，ppma≤0.0005≤0.02731717氧浓度，at/cm≤1.0×10≤1.0×1031616碳浓度，at/cm≤2.5×10≤5.0×10基体金属杂质，ppmwFe、Cr、Ni、Cu、Zn、CaFe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、、Mg、Al，Mg、Al，TMI≤0.05TMI≤0.53.3.3碳头料碳头料中的碳去除干净，可以用作太阳能铸锭和拉棒。其技术要求同表1太阳能级块状和棒状多晶硅纯度要求中的2级品。3.3.4粉状料粉状料可以太阳能铸锭，其技术要求应符合表2中2级品的规定。3.4尺寸范围3.4.1破碎的块状硅多晶具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小

6、为6mm，最大为100mm。3.4.2块状多晶硅的尺寸分布范围为：a)6～25mm的最多占重量的15%；页面2/5太阳能级多晶硅的国家标准链接：www.china-nengyuan.com/tech/9067.htmlb)25～50mm的占重量的15%~35%；c)50～100mm的最少占重量的65%。3.4.3棒状多晶硅的直径、长度尺寸由供需双方商定。其直径允许偏差为10%。3.5结构及表面质量3.5.1块状、棒状硅多晶结构应致密。3.5.2多晶硅免洗或经过表面清洗，都应使其达到直接使用要求。所有多晶硅的外观应无色班、变色，无可见的污染物和氧化的外表面。3.5.3粒状硅的直径为1-3m

7、m，无肉眼可见异物。3.5.4碳头料的碳要去除干净，不能有残留。3.5.5粉状多晶硅要求无肉眼可见异物。4测试方法4.1纯度及相关技术要求检验方法：4.1.1多晶硅导电类型检验按GB/T1550测试。4.1.2多晶硅N型电阻率检验按GB/T1550测试。4.1.3多晶硅P型电阻率检验按GB/T1550测试。4.1.4N型少数载流子寿命测量按GB/T1550测试。4.1.5多晶硅中氧浓度测量按GB/T1558测试。4.1.6多晶硅中碳