开关电源电磁干扰滤波器

开关电源电磁干扰滤波器

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1、开关电源电磁干扰滤波器上网时间:2008-10-04  作者:赵渝青  来源:电子设计信息网中心论题:·开关电源电磁干扰(EMI)的特点·电磁干扰滤波器设计原则·电磁干扰滤波器的电路结构与参数选择·电磁干扰滤波器的安装解决方案:·滤波元件要保证输入滤波器谐振频率低于开关电源的工作频率·考虑所用电感器和电容器的安全性能开关电源由于功耗小效率高,体积小,重量轻,稳压范围广,电路形式灵活等特点,广泛地应用于计算机、通信等各类电子设备。但是随着开关电源的小型化,开关就要高频化,这种高频化,其基波本身也就构

2、成了一个干扰源,发出一种更强的传导干扰波,此外通过改进元器件达到高频化的同时,也会因辐射干扰波而导致一种超标准值的杂散的信号。这些信号构成了电磁干扰(EMI),被干扰对象是无线电通信。为使无线电波不受电磁干扰的影响,就要采取措施限定这种电磁干扰,使之符合有关电磁兼容(EMC)标准或规范,这已经成为电子产品设计者越来越关注的问题。 开关电源电磁干扰(EMI)的特点开关电源功率变换器中的功率半导体器件的开关频率通常较高,功率开关器件在高频下的通、断过程中不可避免地要产生强大的电磁干扰。与数字电路相比,

3、开关电源EMI呈现出鲜明的特点:a.开关电源EMI干扰源的位置比较清楚,主要集中在功率开关器件、二极管以及与之相连的散热器和高频变压器上。b.作为工作于开关状态的能量转换装置,开关电源的电压、电流变化率很高,其产生的EMI噪声信号既具有很宽的频率范围,又有一定的强度。c.印制电路板布线不当也是引起电磁干扰的主要原因。这些干扰经传导和辐射对其他电子设备造成干扰。任何电源线上传导干扰信号,均可用差模和共模信号来表示。在一般情况下,差模干扰幅度小,频率低,所造成的干扰较小;共模干扰幅度大,频率高,还可以

4、通过导线产生辐射,所造成的干扰较大。因此,欲削弱传导干扰,把EMI信号控制在有关EMC标准规定的极限电平以下,最有效的方法就是在开关电源输入和输出电路中加装电磁干扰滤波器。电磁干扰滤波器的设计电磁干扰滤波器设计原则电磁干扰滤波器的设计与选择,应根据干扰源的特性、频率范围、电压、阻抗等参数及负载特性的要求综合考虑,通常要考虑以下几方面的问题:a.要求电磁干扰滤波器在相应工作频段范围内,能满足负载要求的衰减特性,若一种滤波器衰减量不能满足要求的时候,则可采用多级联,可以获得比单级更高的衰减,不同的滤波

5、器级联,可以获得在宽频带内良好的衰减特性。b.要满足负载电路工作频率和需抑制频率的要求,如果遇到要抑制的频率和有用信号频率非常接近,则需要频率特性非常陡峭的EMI滤波器。c.在所要求的频率上,滤波器的阻抗必须与它连接的干扰源阻抗和负载阻抗相匹配,如果负载是高阻抗,则EMI滤波器的输出阻抗应为低阻;如果电源或干扰源阻抗是低阻抗,则EMI滤波器的输出阻抗应为高阻;如果电源阻抗或干扰源阻抗是未知的或者是在一个很大的范围内变化,很难得到稳定的滤波特性,为了使EMI滤波器获得良好的滤波特性,应在其输入和输出

6、端,同时并接一个固定电阻。d.电磁干扰滤波器必须具有一定耐压能力,要根据电源和干扰源的额定电压来选择滤波器,使它具有足够高的额定电压,以保证在所有预期工作的条件下都能可靠地工作,能够经受输入瞬时高压的冲击。e.滤波器允许通过的电流应与电路中连续运行的额定电流一致。电流定高了,会加大滤波器的体积和重量;电流定低了,又会降低滤波器的可靠性。f.滤波器应具有足够的机械强度,结构简单,重量轻,体积小,安装方便,安全可靠。电磁干扰滤波器的电路结构与参数选择图1是开关电源EMI滤波器的电路。其中L1、L2为共

7、模扼流圈,其结构见图2。由于它的两个线圈匝数相等,这两个电感对于差模电流和主电流所产生的磁通是方向相反、互相抵消的,因而不起作用;而对于共模干扰信号,能够得到一个大的电感量呈现高阻抗,以获得最大的滤波效果,因此对其有良好的抑制作用。但是,由于种种原因,如磁环的材料不可能做到绝对均匀,两个线圈的绕制也不可能完全对称等,使得L1和L2的电感量是不相等的,于是,(L1-L2)形成差模电感,它和L3与L4形成的独立差模抑制电感与Cx电容器又组成L-N独立端口间的一个低通滤波器,用来抑制电源线上存在的差模干

8、扰信号。  在选择滤波元件时,一定要保证输入滤波器谐振频率低于开关电源的工作频率。由于随着电源工作频率的升高,滤波器对运行噪声将更容易抑制,所以设计中要注意滤波器在工作频率低时的抑制效果。CX电容被用来衰减差模干扰,CY用来衰减共模干扰,R用于消除可能在滤波器中出现的静电积累。若电容的容量大于0.1μF时,该放电电阻的阻值应为R=t/(2.21C)式中,t=1s;C为2个CX的总和值。在图1所示电路中各元件参数在下列范围内选择:CX为0.1~2μF;CY为2200pF~0.033μ

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