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1、光纤与电缆及其应用技术2009年第2期OpticalFiber&ElectricCableNo.22009生产设备新型蒸发器在光纤预制棒生产中的应用李东升(上海正帆超净技术有限公司,上海201108)[摘要]介绍了光纤预制棒的生产工艺以及国内SiCl4蒸发输送系统的技术现状。描述了新型SMR蒸发器的结构特点、技术规格和在SiCl4流量控制方面的优良性能。[关键词]光纤预制棒;蒸发器;SiCl4[中图分类号]TN818[文献标识码]A[文章编号]10061908(2009)02001702App
2、licationofNewTypeEvaporatorinOpticalFiberPreformFabricationLIDongsheng(ShanghaiGenTechUHPCo.,Ltd.,Shanghai201108,China)Abstract:Abriefintroductionofopticalfiberpreformfabricationprocess,andthecurrenttechnicalstatusofvapordeliverysystemforsilicontetrachloridearepresent
3、ed.Thestructure,specificationandhighperformanceofthenewtypeofSMRevaporatorfortheflowratecontrolofsilicontetrachloridearedescribed.Keywords:opticalfiberpreform;evaporator;silicontetrachloride棒再套管的两步法,再到90年代的SOOT(粉尘)外1光纤预制棒制造工艺的简介包层代替套管制成光纤预制棒。该法制得的多模光通信用光纤大多数是由石英材料组成。光
4、纤制纤中心部位不会形成折射率凹陷或空眼,因此多模造过程包括光纤预制棒制备、光纤拉丝等步骤。目光纤的带宽较高;该法制得的单模光纤损耗达到前,光纤预制棒制备最常用的是两步法:a.第一步是0.22~0.40dB/km。由于光纤折射率分布取决于在外汽相沉积法(OVD)、轴向汽相沉积法(VAD)、原料气体在母棒的空间径向分布,各种工艺参数必改进的化学汽相沉积法(MCVD)、等离子化学汽相须要十分稳定,故控制难度较大。目前,日本仍然掌沉积法(PCVD)四种汽相沉积工艺中选择合适的一握着VAD法最先进的核心技术,所制得的光纤预个工艺来生产光纤预制
5、棒的芯棒(CoreRod);b.第制棒OH-含量非常低,在1385nm波长附近的损二步是在芯棒上加上外包层(OverCladding),制成耗小于0.46dB/km。光纤预制棒。各种光纤预制棒外包层制备技术占世界市场的VAD法是1977年由日本电报电话公司的伊泽份额为:套管法28%,SOOT法62%,等离子法立男等人,为避免与康宁公司的OVD专利产生纠8%,溶胶凝胶法2%。几乎所有采用OVD法、纷所发明的连续制造工艺。其工艺原理是:SiCl4原VAD法制造光纤预制棒芯棒的生产厂家都使用了料在氢氧焰中水解生成SiO2微粉,然后经
6、喷灯喷SOOT法,即气态卤化物(SiCl4等)通过氢氧焰或甲出,沿轴向沉积在母棒外表面。这样,可使沉积工烷焰进行反应,生成大量的粉末,随着棒体沿着燃艺、脱水烧结工艺连续进行,理论上可制得极长的预烧器的来回运动,而一层一层逐渐地沉积在芯棒的制棒。VAD法的发展过程经历了由20世纪70年外表面。代的芯、包同时沉积烧结,到80年代采取先沉积芯2传统SiCl4蒸发器[收稿日期]20081217[作者简介]李东升(1968-),男,河南人,上海正帆超净技VAD法生产芯层的原料包括SiCl4、GeCl4、术有限公司高级工程师.[作者
7、地址]上海市闵行区春中路56号,201108H2、O2、N2、He等,外包层制备的主要原料包括!18!光纤与电缆及其应用技术2009年第2期SiCl4、H2、O2、N2、CF4、He等。其中SiCl4、GeCl4漂浮起来;当液体到达内筒的上沿时,流入内筒,增是液态化学品,需要通过蒸发或者气体鼓泡携带的加了内筒的重量,从而抵消了部分浮力;随着内筒重方式输送到火焰喷嘴处。SiCl4的成本占光纤预制量的增加,内筒在外筒中继续下沉,导致内筒底部的棒制造成本的30%左右。传统的SiCl4蒸发器是通针型阀关小,限制了进入外筒液体的流量;当
8、SiCl4过内置液位计进行间歇式补液来控制液位。当蒸气从内筒蒸发后,内筒又上浮,导致更多的液体进SiCl4蒸气由蒸发器送出时,SiCl4液位下降,液位降入;最终,液体进入量与蒸发量达到动态平衡;控制到设定值时进行补液;液位计和控制系统
