浅谈赫尔槽在电镀过程中的应用

浅谈赫尔槽在电镀过程中的应用

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1、·Metallizatoin&P18ting“娜.必价书,左甲详孕千协口如体沙孔化与镀电·若。,"….浅谈赫尔槽在电镀过程中的应用(大连太平洋化工有限公司116600)曲富强摘要本文主要阐述赫尔槽基本原理及其在印制。电路板电镀过程中的应用关键词赫尔槽测试电镀APPlicationofHullCelleTstinginPCBPlatingProcessuuanQFqig,AbstractInhtisaritelehtebasichteo叮ofHullCelleTstinganditsaPPlieationinelectroPlatingproeessforPirntingeil℃

2、uitboard15exPlianed.Keyw`)rdsHullCelltestingaPPlieationeleetroPlating。u、、赫氏槽(HnCel)是电镀过程中常用方便便可以进行赫尔槽测试每267mL镀液通常可以。。有效的测试手段之一作3一4次测试在电镀过程中,只有将可能产生问题的各种因素都处于正确的控制之下,才能保证电镀过程的正常工作。但要真正做到又谈何容易。药液浓,,,度的偏差镀液之间的拖带污染不洁的空气添公彭劲弟心不吧心于哈不女加剂的累积与分解,电镀阳极的残渣,耐镀剂的图1分解等等都会带来相应的问题,影响电镀质量。不同镀液有各自不同的工作电流密度,如在P

3、cB加工过程中常见的问题就是电镀添加剂的PcB垂直电镀铜的电流密度通常在(2.0一2.6)A/dm“累积与分解,如果不能有效地控制,它将严重影之间,而电镀锡铅或纯锡则在(1.0一1.8)Ad/“。m之响PcB的品质赫尔槽测试便是一种能够快速测。。2试与判断镀液状况,分析问题产生原因,找出解间如图所示赫尔槽测试时选择的电流也各,。不相同应遵循的总原则为电镀的电流密度范围决方法的常用手段赫尔槽阴极片电流密度分布曲线,赫尔槽形状如图1所示标准的赫尔槽体积巧10302520050,,恻倾娓却哎的言à为267mL阳极片放在赫尔槽中的正方形边大小以能够完全覆盖住背面为宜,阳极片正面为瓦29

4、,;楞型以增加阳极面积阴极片尺寸为60mmx国书嘟宁奋`不劲中移革己介圣,,。1oomm放在赫尔槽的长斜边再连接到可调式单位cm,,直流稳压电源(通常电压为。一10v电流为O一SA)图2.。。。。PrintedCireuitInformation印制电路信息2口洲NO乐`·’心苹匆夕外么公全台价空欢扮协议妙etazatonatn夕爷价粉穷夺不中奋穷因全女必自斗扔Mllii&Plig,。应出现在赫尔片中部区域如图3所示镀孔化与电·;图3:具体可用下式计算出来年穷币护夺份幼肠含冲兮+备芒侣爷于刁妇介咨奋必均.C=A(/5.1一524Lo只L):c;式功为测试电流(A)A为dm“;工

5、作电流密度(A/)。L为赫尔片上某点到高电流密度端距离(cm)对赫尔片的判读同样有着标准的区域。正常图6条形图表示法图例,的判读区域如图4所示这也是常见的条形图表。示法(如图5)的来源在条形图表示法中常用空气搅拌,那么在赫尔槽测试过程中也应该有空印必吞么幸币若币女护苹又扮异女子介币出幸舟份诊公各种,。,标准图例来记录赫尔片的各种情形具体如气搅拌这就是可比性否则很可能带来错误的,,,。图6所示但这种方法不够直观现在我们大可结果这是最可悲的以用扫描仪将这些珍贵的资料存储在计算机中,赫尔槽在电镀槽液的控制上主要应用于以下便于进行系统分析,来更好指导我们控制镀液。四个方面。(1)测试设

6、定的电镀密度是否在最佳范围内。在电镀过程中,常会出现高电流密度区烧焦或低电流密度区没有镀上的问题,此时就需要变动赫尔槽测试电流来观察是否可以找到更加适宜的工作电流密度,电流的选择是以能够给出最宽的光亮区为准。如果经过赫尔槽测试确认电流密幸娇装谷冲分千心子勺币爷币矽必奋冉配扮另奋号女币岛币干申召币今它冲空`介必于宁扮台吝度在最佳的范围内,但工作槽仍然出现烧焦或镀不上的现象,就需要考虑镀液成分、添加剂性能、图4摆动、搅拌、阳极排布、阴阳极面积比例等方面去解决。l一。瞬券(2)用来检查和控制槽液赫尔槽测试可以黝酬有效分析电镀液中有机添加剂含量是否正常。虽焦区光亮区半光亮区暗区然现在已

7、经有CvS(循环伏安测试仪)等先进仪器可以测出有机添加剂的含量,但它的昂贵价格与复杂的操作过程,令人望而却步,而赫尔槽测图5条形图表示法试以其方便、直观、易操作的特性,依然为广大赫尔槽测试的关键在于阴极片的前处理过程电镀业者所喜爱,再配合化学分析,控制槽液则、。应与生产条件一致,包括除油、微蚀、酸洗等过可以得心应手迎刃而解这其中数据的累积与程,这样可以具有可比性。同时镀液测试条件应定期的分析是至关重要的。30。尽量与实际生产保持一致例如镀液在实际生产(3)测试在镀液中一种组分浓度变化所造成,

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