XeF 準分子雷射退火自動操控系統研發

《XeF 準分子雷射退火自動操控系統研發》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、Proceedingsof2005CACSAutomaticControlConferenceTainan,Taiwan,Nov18-19,2005XeF準分子雷射退火自動操控系統研發1,3211郭啟全葉文昌陳佳斌鄭正元1國立台灣科技大學機械工程系106台北市基隆路四段四十三號Tel:(02)27376466Fax:(02)27376460E-mail:jeng@mail.ntust.mit.edu.tw2國立台灣科技大學電子工程系3明志科技大學機械工程系摘要1.前言隨著平面顯示器面積及TFT-LCD畫素(p

2、ixels)於自行組裝之XeF準分子雷射退火系統中，傳密度的增加，為了縮短畫點(pixel)電極的充電時統方法為使用原廠控制面板來操控準分子雷射以間，擁有較高遷移率(mobility)的薄膜電晶體是有所及使用人來調整XYZ三軸平台之位移，進行焦點需求的，由於a-Si:HTFTs的遷移率並不高，而此調校、準分子雷射加工能量調整與試片之位移。本缺點卻可以藉由多晶矽薄膜電晶體(Poly-SiTFTs)研究運用Labview程式將準分子雷機台以XYZ三來替代a-Si:HTFTs而獲得解決，因為Poly-SiTFTs軸

3、平台之操控系統整合成一人機介面並以高效率具有比a-Si:HTFTs快十倍至百倍以上的載子遷移及精準性來操控XeF準分子雷射，進行低溫多晶矽率，因此使得驅動積體電路可以同時製作於玻璃基薄膜製作，實驗結果證實可以於1分鐘之內求出聚板上。焦鏡之正確焦點位置，並於30分鐘內於厚度900Å運用脈衝準分子雷射退火矽膜來製作高效能之非晶矽膜試片，完成低能量至高能量之準分子雷之多晶矽薄膜電晶體，於諸多文獻已經證實是一個射退火，並藉由SEM觀察出直徑1μm之大晶粒。很優良的方法[1,2,3,4]。然而本研究進行多晶矽薄膜電晶體

4、Poly-SiTFTs所採用之XeF準分子雷射退火關鍵詞：自動操控系統、準分子雷射退火、低溫多系統，傳統方法為使用原廠控制面板來操控準分子晶矽、人機介面。雷射以及使用人來調整XYZ三軸平台之位移，進行聚點調校、準分子雷射加工能量調整與試片之位Abstract移。本研究運用Labview程式將準分子雷機台以XYZ三軸平台之操控系統整合成一人機介面並以Auser-friendlyman-machineinterfacedesigned高效率及精準性來操控XeF準分子雷射，進行低溫byLabviewsoftware

5、forXeFexcimerlaserannealing多晶矽薄膜製作，實驗結果證實，運用本研究研發isdevelopedinthisstudy.Excimerlaserannealing之準分子雷射退火自動操控系統，可以於30分鐘includingthecalibrationoffocalpointforthicknessof之內求可以求出聚焦鏡之正確焦點位置並於厚度900Åamorphoussiliconiscarriedoutwithin30900Å之非晶矽膜從運用低能量至高能量之準分子minutesus

6、ingthedevelopedautomaticcontrolsystem.雷射輸出，完成低溫多晶矽薄膜(lowtemperatureAfterXeFexcimerlaserirradiation,thepolysiliconwithadiameterofapproximately1μmisobservedbypolysilicon,LTPS)製作，並藉由場發射式之電子顯field-emissionscanningelectronmicroscopy.Grain微鏡觀察出直徑1μm之大晶粒。sizesasaf

7、unctionofvariouslaserenergydensitiesarealsoinvestigated.Thistechniqueenhancesthe2.準分子雷射退火原理innovativespeedofpolysiliconthinfilmtransistors由於矽膜對於準分子雷射具有高達10-6cm-1之fabricationforaresearchlaboratory.吸收係數[2]，因此非晶矽薄膜受到準分子雷射照射後，會產生薄膜的熔化與再結晶，依照準分子雷射Keywords:automa

8、ticcontrolsystem、excimerlaser能量之大小，能量密度(Fluence)有三個重要臨界點annealing、lowtemperaturepolysilicon、man-machine[2]：(1)矽膜部分熔融之能量密度；(2)接近矽膜interface完全熔融之能量密度；(3)矽膜完全熔融之能量密度。於矽膜部分熔融之準分子雷射照射下，雖然於矽膜再結晶所需臨界能量之上，但是其能