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1、一种集中补偿的IGZOAM-OLED像素电路冷传利张盛东北京大学深圳研究生院广东深圳518055摘要：本文提出了一种新型的四管单元AM-OLED像素电路。此电路采用新的阈值电压提取方法和集中补偿的方式，不仅可以有效补偿薄膜晶体管（TFT）阈值电压正向及负向漂移带来的问题，而且可以有效简化像素结构和面板外围电路。另外，本方案可以通过将面板像素分组的方式增加OLED的发光时间，从而在高分辨率或高帧频显示中有很好的应用。关键词：AM-OLED像素电路IGZO-TFT集中补偿1引言非晶硅（a-Si）和多晶硅（Poly-Si）TFTs是AM-OLED显示中的主流技术。a-SiTFTs在
2、均匀性，关态电流，低成本等方面都具有优势，但是a-SiTFTs的阈值电压（VTH）极不稳定，长期偏置状态下会发生严重漂移[[]M.J.Powell,etal.,Timeandtemperaturedependenceofinstabilitymechanismsinamorphoussiliconthin-filmtransistors,Appl.Phys.Lett.,vol.54,Jan.1989.1323–1325.]。相比于a-Si，Poly-SiTFTs的VTH相对稳定，且迁移率高，可以提供互补的器件[[]T.F.Chen,etal.,Investigationofg
3、rainboundarycontrolinthedrainjunctiononlaser-crystalizedpoly-sithinfilmtransistors,IEEEElectronDeviceLett.,24(7),2003,457–459.]。但Poly-SiTFTs在像素间VTH和迁移率都会存在差异，会造成显示的不均匀，而且Poly-SiTFTs的制作成本高，尤其在大面积显示中还存在诸多不足。近几年发展起来的IGZO-TFTs其迁移率介于a-Si和Poly-Si之间，VTH稳定性也较a-Si好，且IGZO-TFTs的均匀性与成本都与a-SiTFTs很接近[[]H
4、.D.Kim,etal.,Technologicalchallengesforlarge-sizeAMOLEDdisplaySIDInt.Symp.Dig.Tech.Papers,39(2008),291–294.]，在AM-OLED驱动电路中显示出巨大优势。因此越来越受到人们的关注。基金项目：深圳市重点实验室提升（CXB201005260065A，CXB200903090042A）zhangsd@szpku.edu.cn研究发现IGZO-TFT在长期偏置下VTH还是会有漂移，因此在构成像素电路时仍需要提供补偿机制。目前为了解决TFTs的VTH漂移带来的问题，出现了很多提供补
5、偿的像素电路[[]J.C.Goh,etal.,Anewa-Si:Hthin-filmtransistorpixelcircuitforactive-matrixorganiclight-emittingdiodes,IEEEElectronDeviceLett.,24(9),2003,583–585.][[]J.C.Goh,C.K.Kim,andJ.Jang,Anovelpixelcircuitforactive-matrixorganiclight-emittingdiodes,Dig.Tech.Paper,SIDInt.Symp.,2003,494–497.][[]S.W
6、.Tam,Y.Matsueda,M.Kimura,etal.,Poly-SidrivingcircuitsfororganicELdisplays,inProc.SPIE,vol.4295,Apr.2001,125–133.]。这些电路一般的操作步骤是预充电，VTH提取，电流调整和驱动四步[[]A.Nathan,G.R.ChajiandS.J.Ashtiani,Drivingschemesfora-SiandLTPSAMOLEDdisplays,J.DisplayTechnol.,vol.1,2005.267-277.]。这个过程需要复杂的时序控制[[]H-SPark,K-H
7、Oh,etal.,Apixelstructureforsimultaneousprogrammingandemissionmethodforshutter-glasses-typestereoscopic3-DAMOLEDdisplays.JournalofSID.March2012.Vol.20.162-168.]和相应的外围电路。本文提出了一种基于IGZOTFTs的四管单元像素电路。与传统像素电路的逐行补偿并写入数据的方法不同，本方案在帧初始阶段先对整个面板的所有像素进行阈值提取，然后再逐行写入图像
