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1、堕堕堕苎丛堕塑塑塑堂盟堑盟薄膜热敏电阻的研究进展董茂进,陈焘“州物理研究所.袁阿I挫技术闻家域重点实验窒.忖肃兰州730000摘要:t子信&技术的发展对t千元g件提女十型化、集成化的要求.薄膜热教电Ⅲ∞研究受到c-drl的重观。本i就薄膜搏敏t阻∞最新发展.包括薄膜*敏电m的制备I£,电ma度系敷、响应时月等作T综迷;开对秉性基底薄膜热破电Ⅲ、n外探删月薄膜热敏电m;∞能复台传感3*敏电m等作T舟镕。关键词:捕敏电阻:薄膜;制备工艺;电阻温度系数:响应时间中圈分类号:TB43;TN371文就标识码A1引言热敏电阻器阏其在拄温、删温、寅时监删、电路
2、保护等订而的作JH,拒现代电丁信息技术中^冉十分重要的地位,是目前用毋最太的一娄儿器竹.前祭f分广阔。薄膜温度传感器悼机小,响应伙.精度好,集成度尚,稳定性强.儿性能独特.能够满足温度传感技术小咧化集成化、阵列化、多功能化、智能化系统化段网络化的发展坞势.冉槊成电路、微纳器件等领域具卉广阔的臆11J河景。。『目时由r块倬材料是剩一粒状.受粉伟品捍的影响.导效材料的一致性和重复性较茹.成品宰低;而薄膜材料iif“精确托制薄膜的成分和厚度+对于平柜、致寄的多品薄膜材料米说这种影响品牲问的不完全接触和I,洞等缺陷的影响将太大减小’。热敏材料迁有{Ⅱ多其
3、E的用途’:利用其特有的伏安特性.町制作功率}{、稳雎器、限幅器、低频振荡器、放大器、调制器等;利用其耗散常数与环境介质的种类、状忐打戈的特性.町制忭‘tKII、流量II、液位Lf等,利门J热情性.町制作时刚延迟器什等。采用n金屈元索薄膜热敏电阻L经产品化1.随着电子技术的发展.对热敏电阻的灵敏度、响脯常教提出小嘲耍求.负温度系数高灵敏度的薄膜热敏电阻引起人们的币视,『【d时为装配方向秉性基底的薄膜热敏电阻.综什热敏温敏等的多功能艇舟传感器也引起人¨的匝视.“F按采川材料不Ⅷ埘薄膜热敏电l
4、【【研究现状进}』刚进.井对r步发艟打向作r展祭。2薄膜
5、热敏电阻的研究现状21无机非金属薄膜p-[(热敏电阻夫规模集成电蹄的快速发腮.拦求传感器儿什适“采川、}导体l:岂女犍,flJ度的s“iil;tVinayak并人来川溅射的方法,把Nzcr台盘膜镀在(;aAs基底的氰化硅涂垲袁师.然后再覆盖一层自旋壤酰弧胺膜.这样就做成r申H武微集成电路(MMICs)、‘。檗酰¨胺与电目I层的电极采用Ti/Au溅射得到良好的欧姆接触。他们埘接触点电犀1.薄膜电阻(R,)和电阻温度系数(TCR)等‘0电阻的制备J艺的关系做了研究。若坚慧'获得低电阻值(R、)和离的电阻温度系数(’FCR).则单片式微集成电路(MMl
6、C)制作过程不能承受多次热冲击.研究逆班现在制作MMI(过程N,cr台盒的组丹埘电阻值(Rx)和温度系数(TCR)存在影响。台湾的(hi-Y·mnI.ee等在秉性基底材料上制备的薄膜热敏电阻,如嘲1所示。利用MEMS技术.把微型热敏和湿敏传感薄膜制备在糍对二甲苯塑料基底r,敏感体为黄仓线和聚酰Ⅲ胺+。传感薄膜被印刷枉用等离子氧划蚀的龌料基底1.。薄膜传感器的厚度为(711)pm.町u很方催地粘贴枉不规整物体的裘面。传感器对温度和湿度的敏感系数为481×10Y和o03pF/%RH.此r作证明r在柔性基底制蔷集成传感器的可{r件.泼传感器破用在燃料电
7、池和其E要被谢啵的材料L。Fig1Thermistoronflexihlesub,Irate¨raclicalilyv【cw
8、
9、奉的NobuoSAIq0等采用磁控溅射NiOCr,()一靶(1:1摩尔比)。在氧气和氩‘(的气体氟恻r.定义氧7“E混☆7“$巾的慷强比为R,随着R增大,XRD测试硅ⅢNi(220)卉世增高,光学带宽减小.直流电目【唪和温度最赦增大。在R值为lo%时.ur以褂到高电日l串和高建敏鹰温度系数的“外探测器。蚀艘目!址被咒沌王吐多的PTC热敏材料.欧洲的sRSyrlsoV等研究垃现可以把热敏材料用在电子器什或址雄成『U路友fl
10、{f的加热器㈠“。束川射频溅射技l豁#黜2‘0”]o07+]?“o。‘譬:篱』;嬲⋯“““。⋯”“““。””女∞n■&m(I‘州JJ,,jIhd、V¨,^^lW¨,pⅢM1【№g*mH“‘●%fI”%8材缘对蚪2010}Q女m术.沉#!BaTiO,薄膜厚为l5~2v:m+然后退火樽到23氯化物冉瓷NTC薄膜热戢电阻钛醴自l的多曲。在50~80℃的温度范嘲内.钵酸锹传统肇丁块材m金脚陶瓷热墩电阻材料的温度传PTC电阻器电阻值随温度刀高而线性增犬。感器在尘际的膻州巾州量最人.测温的机理足利用IF羹国的JESundeen等采川有机盘届机积技术金属陶瓷材
11、料的半导体特性,根据其电厝l随温度变化(MOD)制备的NiZrO:陶瓷薄膜“”.热敏特性优于呈指数规律变化,制备出灵敏度高、性能稳定的温
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