0809材料科学基础B参考答案暨评分标准

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1、08/09材料科学基础(B)参考答案暨评分标准一、填空题1．ⅧB（2分）2．弱范德瓦耳斯键氢键（2分）3．一维缺陷两小位错（2分）4．面心立方密排六方hcp（2分）5．（2分）6．固溶体中间相（2分）7．连续生长平面式树枝（2分）8．成分不均匀宏观偏析微观偏析（2分）9．树枝晶低大（2分）10．高小大（2分）二、做图题1.（5分）2.（5分）三、判定下列位错反应能否进行，并说明理由。（4分）满足（1）但是不满足（2）（2分），故不能反应。（2分）四、常温下，铁素体铁的点阵常数为0.365nm，分别求出（100）、（111）、（123）的晶

2、面间距，并指出它们中晶面间距最大的晶面。＝0.365nm（2分）＝0.211nm（2分）＝0.098nm（2分）显然，最大。（2分）五、答:ΔGV=–ΔHfΔT/Tm（2分）3r*=，（2分）ΔG*=πr*3ΔGV+4πr*2×σ=π()2×σ（1分）代入已知数据，可得 ΔT=100℃，r*=0.945nm，ΔGV=-1.97×106J/m3， ΔGr*=3.43×10-19J。（3分）六、解答：经推导，其溶质分布方程为：七、解答：在切应力作用下，在位错线两个端点附近，角速度增加，位错线卷曲，位错环再继续扩展时，两端点的位错线段会相遇，它

3、们是柏氏向量相反的两个螺位错或刃位错，在相互抵消后，位错环就不受固定端点的约束自由运动了。（3分）位错线CD在切应力作用下，可以不断重复上述过程，就可能源源不断地放出位错环．这种位错线段就叫做F—R源。（3分）F-R开动后并不是永远不断地放出位错，当位错遇有障碍，如晶界、L-C锁等，位错塞积后应力集中就可对位错源有一反作用力，使位错源停止动作。（2分）八、Fe-Fe3C相图进行分析1）（2分），包晶反应（1分）（2分），共晶反应（1分）（2分），共析反应（1分）δ(bcc)、α(bcc)（3分）、γ(fcc)、Fe3C(复杂正交晶系)（3

4、分）2）（6分）3）通过杠杆定律计算可得到0.4%C中组织组成物的相对含量：3（4分）（1分）4）（4分）3