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时间:2019-06-01
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1、AC-DC反激式电源的详细参数计算作品:原创作者:袁利才收稿时间:2012年11月8日已知条件:已知PQ3230的中心柱磁路的有效面积饱和磁感应强度B在100℃时是3900mT,反射电压Vor取130V。分析:1、保险丝:V=2651.5=400V;I=120/85/0.92=3A;2、EMI电感:凭经验,100W左右选择50u/10mH;3、整流桥:V=2651.41.251.3=600V;I>3Irms=3120/120/0.9=3.3=4A;4、电解:C=2Pout=240(选择250uF);V=2651.3+50=400V;5、变压器:
2、根据伏秒积平衡原理:将A式带入B式得:由A式得:;由于1.032A<1.5A,考虑余量的选择,所以原边绕线型号选择;由于5.6489A<6A,考虑余量的选择,所以副边绕线型号选择。6、MOSSFET:电压:市电交流220V正负20%的误差,转化为直流为1.414的关系,因为反射电压为130V,所以选择200V,100V为余量。(220+220×20%)×1.414+200+100V=673V;所以综合考虑选择800V的MOSSFET。电流:I=2.43=7.2A,所以选择11A的mosfet;7、输出整流滤波:本设计电源的输出电压是29Vdc,
3、需要先把变压器变换过来的低压方波整流成直流,然后用铝电解电容储能滤波。由于整流的工作频率等于功率开关管的开关频率,必须使用具有快速恢复功能的肖特基整流二极管作为输出整流二极管。输出整流二极管的标称电流(IF)值应为输出直流电流额定值(Io)的3倍以上,即IF1>3Io=5.653=17A,大于17A;整流管的反向耐压值的计算:输入电压的最高值/匝比=2651.4/4.332=160V,所以选择200V肖特基MBR20200。而整流部分使用的铝电解电容不但容量要大,还要有较低的交流电阻,,否则就无法滤除电流中的高频交流电成分,同时要考虑铝电解电容
4、的封装体积不能过大,降低输出纹波,所以选用标称值470μF/35V4的铝电解电容。
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