CMOS和TTL比较

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1、CMOS和TTL1.TTL电平：   输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。2.CMOS电平：   '1'逻辑电平电压接近于电源电压，'0'逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。3.电平转换电路：   因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl5v<＝＝>cmos3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有

2、什么高深的东西。哈哈4.OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。5.TTL和COMS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。    COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。    COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这

3、是正常现象。3）COMS电路的锁定效应：   COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。  防御措施：   1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。   2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。   3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。   4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启

4、时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。6.COMS电路的使用注意事项   1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。   2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。   3）当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。   4）当输入端接大电容时，应该在输

5、入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。   5）COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。  （一定条件下）    7.TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：   1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。   2）在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，             

6、 CMOS和TTL1.TTL电平：   输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。2.CMOS电平：   '1'逻辑电平电压接近于电源电压，'0'逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。3.电平转换电路：   因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl5v<＝＝>cmos3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没

7、有什么高深的东西。哈哈4.OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。5.TTL和COMS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。    COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。    COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，

8、这是正常现象。3）COMS电路的锁定效应：   COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。  防御措施：   1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。   2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。   3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。   4）当系统由几个电源