2、使用外接6V3A直流稳压电源。 ② 将三极管管脚按图示插入测试插座。 ③ 仪表K3、K4(JL295型为K2、K3、K4)档用于测试三极管VBR(耐压值),测试电压分别为0~1999V和0~199.9V;(JL295型为0~2000V、0~200V、0~20V),按下相应档位的开关,仪表分别显示被测三极管的VCEO、VCBO、VEBO及VCE、VBC、VBE的耐压值。 ④ 仪表K5、K6、K7三档用于测试三极管VCE(sat)(共发射极饱和压降)。Ic电流分别为2000mA、300mA、10mA;Ib电流分别为200mA、30mA、1mA;测试时应根据三
7、K1)键切换至PNP位置,按K4(JL295型按K3或K4)键,表头即显示被测管的正向电压值;用本仪表测试红外发射管的正向压降正常值应为1.1V~1.3V左右。 警告!测试晶体管反向击穿电压时,被测管地管脚与插座的接触必须确保可靠后再按下测试开关,如果接触不良将产生高压跳火的现象,容易损坏被测管! 4、场效应管的测试方法: ① 场效应管的反向击穿电压可用本仪表的K3或K4(JL295系列为K2、K3或K4)档来进行测试,测试时必须将G极与S极短路,否则容易将管子损坏。 ② 场效应管的饱和压降测试方法与普通三极管的饱和压降测试方法相同,在本仪表的VCE(sa