模电 西安交大 0 绪论

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1、模拟电子技术基础•徐正红•电工电子教学实验中心•zhhxu@mail.xjtu.edu.cn•82668671-308•东一楼东256室上页下页后退模拟电子技术基础0绪言0.1什么是电子技术0.2本课程的性质、、任务和重点内容、任务和重点内容0.3本课程的特点和学习方法上页下页后退模拟电子技术基础0绪言0.1什么是电子技术电子技术就是研究电子器件、、电子电路及其应、电子电路及其应用的科学技术。1..电子器件.电子器件电子器件的发展上页下页后退模拟电子技术基础第一代电子器件电子管电真空器件离子管(1)电子管上页下页后退模拟电子技术基础电子管

2、的结构和工作原理a.有密封的管壳,,内部抽到高真空,内部抽到高真空。b.在热阴极电子管中,,有一个阴极,有一个阴极。c.阴极可由灯丝加热,,使温度升高,使温度升高,发射出电子。d.电子受外加电场和磁场的作用下下,下,,在真空中运动就形成了电子管,在真空中运动就形成了电子管中的电流。上页下页后退模拟电子技术基础电子管的主要特点a.体积大、、重量重、重量重、、耗电大、耗电大、、寿命短、寿命短。b.目前在一些大功率发射装置中使用。(2)离子管a.与电子管类似,,,也抽成高真空,也抽成高真空。b.管子中的电流,,除了,除了电子外外,外,,也有,也

3、有正离子。上页下页后退模拟电子技术基础第二代电子器件——晶体管19471947年1947年年12年1212月12月月16月1616日正式宣布16日正式宣布“晶体管”诞生,,1948,19481948年获发明专利1948年获发明专利BellLab首个晶体管上页下页后退模拟电子技术基础晶体管是用半导体材料制成的,,也称为,也称为半导体器件(((semiconductordevice)或者固体器件(solidstatedevice)。上页下页后退模拟电子技术基础晶体管的发明人•巴丁(J.Bardeen)•肖克利(W.Shockley)•布拉顿(

4、W.Brattain)•三人19561956年诺贝尔物理学奖1956年诺贝尔物理学奖肖克利、、伯莱顿、伯莱顿((前面站者(前面站者))和)和巴丁((后面站者(后面站者)•巴丁后来从事超导理论研究,,与中年教师库柏,与中年教师库柏、、研究生、研究生施里弗建立了超导理论——BCSBCS理论BCS理论,,三人于,三人于19721972年获1972年获得诺贝尔物理学奖,,成为老,成为老、、中、中中、中、、青合作的典范、青合作的典范。上页下页后退模拟电子技术基础晶体管的主要特点:a.体积小、、重量轻、重量轻。b.寿命长、、功耗低、功耗低。c.受温度

5、变化的影响较大。d.过载能力较差。e.加电压不能太高。上页下页后退模拟电子技术基础2..电子电路.电子电路电子器件与电阻器、、电感器、电感器、、电容器、电容器、、变压、变压器器、器、、开关等元件适当地连接起来所组成的电路、开关等元件适当地连接起来所组成的电路。电子电路的主要特点:控制方便、、工作灵敏、工作灵敏、、响应速度快等、响应速度快等。上页下页后退模拟电子技术基础电子电路与普通电路的主要区别:(1))电子电路包含有电子器件)电子电路包含有电子器件。(2))电子器件的特性往往是非线性的)电子器件的特性往往是非线性的。(3))电子电路必须

6、采用非线性电路的分析方法来分析)电子电路必须采用非线性电路的分析方法来分析。分立元件电路电子电路集成电路上页下页后退模拟电子技术基础分立电路—由各种单个的电子器件和元件构成的电路分立电路的主要特点:(1))把许多元件和器件焊)把许多元件和器件焊接在印刷电路板上组成的。(2))焊点多)焊点多,,容易造成虚焊,容易造成虚焊。(3))体积大)体积大,,功耗大,功耗大,,可靠性低,可靠性低。上页下页后退模拟电子技术基础集成电路(IC—integratedcircuit)集成电路是把许多晶体管与电阻等元件制作在同一块硅晶片上的电路。集成电路的主要特

7、点:(1))体积小)体积小,,重量轻,重量轻。(3))可靠性高)可靠性高。(2))功耗小)功耗小。(4))寿命长)寿命长。上页下页后退模拟电子技术基础集成电路发展历程世界上第一块集成电路在1959年美国的德州仪器公司和西屋电气公司诞生生。生。第一块集成电路集成度::集成电路上只有四只晶体管:集成电路上只有四只晶体管。上页下页后退模拟电子技术基础自自1958自19581958年第一块集成元件问世以来1958年第一块集成元件问世以来,,集成电路已经跨越了小,集成电路已经跨越了小、中中、中、、大、大大、大、、超大、超大、、特大、特大、、巨大规模

8、几个台阶、巨大规模几个台阶,,集成度平均每,集成度平均每222年提高2年提高近近3近333倍倍倍。倍。。随着集成度的提高。随着集成度的提高,,器件尺寸不断减小,器件尺寸不断减小。时期规模集成度

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