论文单相桥式全控整流电路的设计

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1、.单相桥式全控整流电路的设计摘要电力电子学主要研究各种电力电子器件，以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的电路或装置，以完成对电能的变换和控制。它既是电子学在强电(高电压、大电流)或电工领域的一个分支，又是电工学在弱电(低电压、小电流)或电子领域的一个分支，或者说是强弱电相结合的新科学。电力电子学是横跨“电子”、“电力”和“控制”三个领域的一个新兴工程技术学科。随着科学技术的日益发展,人们对电路的要求也越来越高,由于在生产实际中需要大小可调的直流电源,而相控整流电路结构简单、控制方便、性能稳定,利用它可以方便

2、地得到大中、小各种容量的直流电能,是目前获得直流电能的主要方法,得到了广泛应用。在电能的生产和传输上，目前是以交流电为主。电力网供给用户的是交流电，而在许多场合，例如电解、蓄电池的充电、直流电动机等，需要用直流电。要得到直流电，除了直流发电机外，最普遍应用的是利用各种半导体元件产生直流电。这个方法中，整流是最基础的一步。整流，即利用具有单向导电特性的器件，把方向和大小交变的电流变换为直流电。整流的基础是整流电路。由于电力电子技术是将电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域，利用半导体电力开关器件组成各种电力变换

3、电路实现电能和变换和控制，而构成的一门完整的学科。整流电路应用非常广泛，而单相全控桥式晶闸管整流电路又有利于夯实基础，故我们将单结晶体管触发的单相晶闸管全控整流电路这一课题作为这一课程的课程设计的课题。关键词：单相，桥式，全控..目录摘要11.工作原理11.1IGBT的简介11.1.1IGBT的概述11.1.2IGBT的基本特性11.1.3IGBT的参数特点21.2单相桥式全控整流电路的基本原理31.2.1电路组成31.2.2工作原理32.电路总体设计52.1总电路图52.2确定各器件参数52.2.1参数关系5

4、2.2.2参数的计算62.3晶闸管的选择73.触发电路的设计84.工作过程及参数设定94.1工作过程94.2参数设定和仿真图94.2.1触发角为94.2.2触发角为115.心得体会12参考文献13..1.工作原理1.1IGBT的简介1.1.1IGBT的概述IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和

5、压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域.正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV

6、的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1ｕm以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。图1-1IGBT等效电路和电气图形符号1.1.2IGBT的基本特性IGBT的基本特性分为动态特性和静态特性。..IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT的伏安特性是指以栅源电压为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲

7、线。输出漏极电流比受栅源电压的控制，越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。　　IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，I

8、d与呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。　　IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。IGBT动态特性在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压下降过程后期，PNP晶