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时间:2019-05-29
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1、LEDLED基本知识培训基本知识培训什么是LED?LightEmittingDiode英文缩写成LED中文意思为“发光二极管(体)”什么是LED?LED是由半导体材料制成的发光组件。通过电子的运动,将电能转换为光能。属于“固态发光器件”。与灯泡、荧光灯有何不同?虽然与灯泡、荧光灯同属于发光体,但性能特点上有天壤之别。LED与灯泡、荧光灯的对比灯泡荧光灯LED汞蒸气、荧光粉材料钨丝半导体材料fluorescein钨丝先加热至白放电産生的紫外线电子跃迁时能量释放,发光原理炽状态,再发光激发荧光粉发光电能转成光能光源热光源、发热多冷光源,发热少冷光源、不发热
2、极少电源高电压、大电流高电压、大电流低电压,低电流耗电高中极低寿命约1,500hrs约5,000hrs100,000hrsLED与灯泡、荧光灯的对比灯泡荧光灯LED耐震性弱、易碎弱、易碎强、耐损体积大大小启动时间慢极慢快色泽复合色复合色比较纯正顔色变化不能变色少许变化色彩多样方向性无无强辐射性热辐射电磁辐射无LED大家族--不同的封裝形式二极管LAMP数码管DISPLAY点矩阵DOTMATRIX背光源BACKLIGHT贴片SMD食人鱼SUPERFLUX高功率HIGHPOWER二极管LAMP数码管DISPLAY,点矩阵DOTMATRIX背光源
3、BACKLIGHT食人鱼(SUPERFLUX)贴片SMD高功率HIGHPOWER高功率HIGHPOWERLED的应用领域LED应用沿革LAMP应用沿革Display/DotMatrix应用沿革LED照明发展历史LED在汽车上的应用LED应用范例产品应用实例对LED的深层了解LED自从问世以来,技术上突飞猛进,日益完善;LED让世界更加五彩缤纷;LED越来越多地走进我们的日常生活;LED照明可以大大改善人类的生活环境;LED的前景是广阔的;我们以此为骄傲,因为我们是LED的制造者;揭开LED的神密面纱——半导体晶片半导体的基本概念半导体:导
4、电力介于金属于非金属之间的材料一般为元素周期表中的Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ族元素。P型半导体:Ⅲ族元素Al、Ga、InN型半导体:Ⅴ族元素N、P、AsPN结:P型半导体与N型半导体材料以特定的方式结合形成PN结,是半导体器件的核心。发光二极管之化学元素PN结的特性单向导通非线性通电后,电子越过PN结与空穴复合发生能量的改变,当释放的能量足够高时,即发出可见光。发光的波长(颜色)和功率取决于半导体材料的能隙。利用PN结内部电子迁移、复合的特性可以做成多式各样的半导体器件,如晶体管、光敏管、CMOS器件、稳压管、集成电路等。LED的發光LED芯片的核心部
5、分就是高能隙半导体材料形成的PN结,通电后,电子越过PN结与空穴复合发生能量的改变,释放足够高的能量转换成光能,即发出可见光。半导体材料的成份不同,其能隙也有高低之分,发出的能量不一样,发光波长长短不一,因而呈现不同的颜色。不同的半导体材料发出不同颜色的光芯片的结构左图:TS四次元芯片,GaP衬底,反光材料。右图:AS四次元芯片,GaAs衬底,吸光材料。芯片的结构上图:双电极蓝、绿色芯片,蓝宝石衬底左图:美国CREE单电极蓝、绿色芯片,SiC衬底,倒锥台形。LEDBrighthess四次元芯片VS三次元芯片LED电学参数VF--正向压降IR—反向漏
6、电流VF--正向压降电压表读值即为Vf当LED通以20m的电流时,LED两端的电压差ASChip:Vf=1.9-2.2v;TSChip:Vf=2.2-2.6vInGaNChip:Vf=3.0-3.6vIR—反向漏电流电流表读值即为IR电压表读值即为Vf因LED具有单向导通特性,所以加以反向电压时,只有极小的漏电流通过。IR越大,LED的特性越差。一般的测试条件为VR=5v二、三、四次元Chip:IR<5UA,InGaNChip:IR<30UALED的光学特性IV亮度λp峰值波长λd主波长∆λ频谱半宽度值IV亮度(LuminousInte
7、nsity)亮度测试均以测试正面(轴线)之亮度值;测试条件一般为IF=20mA;亮度单位一般为mcd,1cd=1000mcd;Cd也叫“坎德拉”,或称“烛光”,mcd叫“毫坎”或“毫烛光”。λp峰值波長峰值波长(PeakWavelength),用来表示LED之色彩;不同颜色的光其实就是不同波长的光波;人眼可以看到的波长范围是380-760nm。一般测试条件为IF=20mA。可见光波长范围LED的发光范围λd主波长主波长(DominantWavelength),用来表示LED模拟人眼接收之色彩,一般分BIN均以此参数进行。一般测试条件为IF
8、=20mA。波长与颜色的关系波长范围颜色波长范围颜色380-400紫560-58
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