MOV压敏电阻器的基本特性

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1、MOV压敏电阻器的基本特性Maintopics:1.Varistorcharacteristicandparameters;(压敏电阻器的基本特性及参数)2.Microstructureandconductionmechanism(压敏电阻的显微结构和传导机理)3.Productionflowandprocesscontrol(生产工艺流程及工艺控制)4.Productclassandtype(产品种类及型号含义)1.压敏电阻器的基本特性及参数压敏电阻器是一类对电压敏感的敏感元件，是电压超过某一值后，其电阻值随所加电压显著变化的电阻器。因此也有

2、人称之为变阻器(Varistor=variableresistor)或非线性电阻器。压敏电阻器的基本特性──V/I特性压敏电阻器的基本参数Uv──压敏电压：流过压敏电阻器的电流为1mA时，加在它两端的电压降称为压敏电压。Is──漏电流：压敏电阻器在进入击穿区之前正常工作时所流过的电流，称为漏电流。测量时，我们是给压敏电阻器施加一定值的直流电压（大小约等于最大交流工作电压），测量流过压敏电阻器的电流。Us──漏电流电压：流过压敏电阻器的电流为Is时，加在它两端的电压降称为漏电流电压。Is一般为3mA，对于低压产品（最大交流工作电压<50V）Is为

3、9mA。Uk──钳制电压（保护水平）：流过压敏电阻器的电流为Ik时，加在它两端的电压降称为钳制电压，钳制电压也称为压敏电阻器的保护水平。Ik：与压敏电阻器的电极面积及电压等级有关，对于S-VAR，Ik为1~100A。型号瓷片直径[mm]最大交流工作电压[V]最大保护水平Ik[A]Uk[V]S05K11~K40511~401.036~135S07K11~K40711~402.536~135S10K11~K401011~405.036~135S14K11~K401411~4010.036~135S20K11~K402011~4020.036~135

4、S05K50~K460550~4605.0135~1240S07K50~K460750~46010.0135~1240S10K50~K6801050~68025.0135~1815S14K50~K6801450~68050.0135~1815S20K50~K6802050~680100.0135~1815S14K100014100050.02970S20K1000201000100.02970 压敏电阻的允许偏差允许偏差： J：±5%K：±10%L：±15%M：±20%S：特殊偏差最大交流工作电压-URMS 在最高工作温度下连续施加1000小时

5、的交流电压，然后在室温和正常湿度下存放1-2小时，压敏电阻器的压敏电压的变化绝对值小于10%所能施加的最大电压，称为最大交流工作电压。最大直流工作电压-UDC在最高工作温度下连续施加1000小时的直流电压，然后在室温和正常湿度下存放1-2小时，压敏电阻器的压敏电压的变化绝对值小于10%所能施加的最大电压，称为最大直流工作电压。通流容量/耐浪涌电流能力-Imax压敏电阻器经大脉冲电流冲击后，其U/I特性会产生蜕变。蜕变的结果会使漏电流增大，Uv下降，这对许多应用来说是不允许的，因此，必须对经高浪涌电流冲击后，U1mA的下降有所限制。把满足U1mA

6、下降要求的压敏电阻器所承受的最大冲击电流，称为压敏电阻器的通流容量，也称为通流能力或通流量，它是表征压敏电阻器耐受高浪涌电流冲击的能力的一个参量。通流容量与脉冲幅度，脉冲持续时间及所承受的脉冲次数有关，如下图所示最大浪涌电流Imax是用8/20ms的脉冲冲击后压敏电压变化的绝对值小于10%且样品无机械破损所能通过的最大电流。最大能量吸收能力-Wmax 施加能量为某一定值的规定波形（持续时间相对较长）的冲击电流，冲击后压敏电压变化的绝对值小于10%且样品无机械破损所能通过的最大能量称为压敏电阻器的最大能量吸收能力。最大能量吸收能力wmax是用2m

7、s的波形冲击后压敏电压变化的绝对值小于10%且样品无机械破损所能吸收的最大能量。2.  压敏电阻的显微结构和传导机理ZnO压敏电阻是由ZnO与金属氧化物添加剂经过充分混合、研磨、成型后，经高温烧结而形成的一种多晶氧化物半导体陶瓷元件。 从微观结构上看，这种多晶半导体陶瓷主要由晶粒和晶界两部分组成。 晶粒：主要成分¾ZnO；电阻率较低：0.1~10W.cm。 晶界：添加剂的富集区；电阻率很高：>106W.cm。每个晶粒交界处(晶界)可以看成是一个微压敏电阻，其保护水平约为3.5V，压敏电阻器的电学性能可以看成是由这样无数个微压敏电阻相互串并联而成

8、。因此，压敏电阻器的电学性能与几何尺寸有密切的联系，对于相同的材料体系，其电学参数与几何尺寸有如下关系：l陶瓷体的厚度增加一倍，其保护水平将随之增加一