集成电路设计实践3

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1、六、基础知识°版图的基本概念°CMOS工艺中的元件°版图设计规则°版图设计准则1版图结构°集成电路加工的平面工艺制加版工°芯片的剖面结构从平面工艺到立体结构，需多层掩膜版，故版图是分层次的，由多层图形叠加而成！2一个简单的例子VddoutGnd版图inmetal1ploycontactSi3N4FOX剖N＋P＋P＋N＋N＋P＋面NN--阱阱图P管源漏区N管源漏区P-substrate3N-wellactiveN-implantP-implantppyolycontact版图分层处理方法metal14版图的层N-wellactiveP+

2、implantN+implantpoly1metal1contactviametal2VddoutGndin5版图流程VddoutGndin栅栅氧Si3N4FOX剖N＋P＋P＋N＋N＋P＋面NN--阱阱图P管源漏区N管源漏区P-substrate6硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系1N阱——做N阱的封闭图形处，窗口注入形成P管的衬底2有源区——做晶体管的区域（GDSBG,D,S,B区），封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层3多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅7版图流程（1）版N-阱图P-substrateN-t

3、ypeImplantPhotoresist剖NN--阱阱面图P-substrate8硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系1阱——做N阱和P阱封闭图形处，窗口注入形成P管和N管的衬底2有源区——做晶体管的区域（GDSBG,D,S,B区），封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层3多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅9版图流程（2）版图activeactiveactiveactiveP-substrateFOX剖NN--阱阱面图P管有源区N管有源区P-substrate10硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系1阱——做N阱和P

4、阱封闭图形处，窗口注入形成P管和N管的衬底2有源区——做晶体管的区域（GDSBG,D,S,B区），封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层3多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅11版图流程（3）P-substratepoly1栅栅氧FOX剖NN--阱阱面图P-substrate12硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系4有源区注入——P+,N+区。做源漏及阱或衬底连接区的注入5接触孔——多晶硅，扩散区和金属线1接触端子。6金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝7通孔——两层金属连线之间连接的端子8属线2——做金属连线，

5、封闭图形处保留铝13版图流程（4）N+implantN-TypeImplantPhtPhotoresitistFOX剖NN＋＋N＋N＋面NN--阱阱图N管源漏区P-substrate14版图流程（5）P+implantP-TypeImplantP-TypeImplantFOX剖N＋P＋P＋N＋N＋P＋面NN--阱阱图P管源漏区P-substrate15硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系4有源区注入——P+,N+注入区。做源漏及阱或衬底连接区的注入5接触孔——多晶硅，扩散区和金属线1接触端子。6金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝7通

6、孔——两层金属连线之间连接的端子8属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝16版图流程（6）contactcontactFOX剖N＋P＋P＋N＋N＋P＋面NN--阱阱图P管源漏区N管源漏区P-substrate17硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系4有源区注入——P+,N+区（select）。做源漏及阱或衬底连接区的注入5接触孔——多晶硅，扩散区和金属线1接触端子。6金属1——做金属连线，封闭图形处保留铝7通孔——两层金属连线之间连接的端子8金属2——做金属连线，封闭图形处保留铝18版图流程（7）metal1VddoutGndinmeta

7、l1栅栅氧FOX剖N＋P＋P＋N＋N＋P＋面NN--阱阱图P管源漏区N管源漏区P-substrate19硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系4有源区注入——P+,N+区（select）。做源漏及阱或衬底连接区的注入5接触孔——多晶硅，扩散区和金属线1接触端子。6金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝7通孔——两层金属连线之间连接的端子8属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝20反相器版图与电原理图VddoutGndininGndVddout21例：0.18um1p6mlogicprocess注意物理剖面结构和尺度，有助于理解元件特性、寄

8、生参量后端工艺布线前端工艺集成元件22认版图练习提取电路；指出是何种单元电路；说明电路的工作原理；23六、基础知识°版图的基本概念°CMOS工艺中的元件°版图设计规则°版图设计准则24CMOS集成电路中的元件•MOS晶体