GD32 VS STM32

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1、GD32介绍与STM32兼容性汇总一、GD32与STM32异同1.相同点1)外围引脚定义：相同型号的管脚定义相同2)CortexM3内核：STM32F103内核R1P1版本,STM32F205内核R2P1，GD32内核R2P1版本，此内核修复了R1P1的一些bug3)芯片内部寄存器，外部IP寄存器地址:逻辑地址相同，主要是根据STM32的寄存器和物理地址,做的正向研发.4)函数库文件：函数库相同，优化需要更改头文件5)编译工具：完全相同例如：keilMDK、IAR6)型号命名方式：完全相同2.外围硬件区别1)电压范围（ADC）：GD32

2、F：2.6-3.6VSTM32F：2.0-3.6V（外部电压）GD32F：1.2V（内核电压）STM32F：1.8V（内核电压）2)BOOT0管脚：Flash程序运行时，BOOT0在STM32上可悬空，GD32必须外部下拉（从Flash运行，BOOT0必须下拉地）3)ESD参数：STM32人体模式2KV,空气模式500VGD32人体模式4KV(内测5KV),空气模式10KV(内测15KV)3.内部结构差别1)启动时间：GD32启动时间相同，由于GD运行稍快，需要延长上电时间配置(2ms)2)主频时钟：GD32F10系列主频108MHZS

3、TM32F10系列主频72MHZ3)Flash擦除时间：GD32是60ms/page，STM30ms/page4)FLASH容量：GD32最大容量3MByte5)SRAM空间：GD32F103系列、GD32F105107大容量系列SRAM96K6)VB外扩总线FSMC：GD32100PIN配置总线输出，STM32144PIN并且256k以上才配置总线输出4.功耗区别(以128k以下容量的作为参考)1)睡眠模式Sleep：GD32F：12.4mASTM32F10X：7.5mA2)深度睡眠模式DeepSleep：GD32F：1.4mAST

4、M32F10X：24uA3)待机模式StandBy:GD32F:10.5uASTM32F10X:3.4uA4)运行功耗：GD32F:32.4mA/72MSTM32F10X:52mA/72M5.内部FLASH区别1)ISP：擦写时间同STM32有差异，使用新版ISP软件2)IAP：擦写时间相同，按字写入，按页擦除3)存储寿命：10万次擦写，数据保存20年以上4)加密特性：除了常规的禁止读出和96位ID号码加密之外，GD32数据写入Flash时，具有存储逻辑地址连续，物理地址不连续的特性。二、GD32介绍与兼容性详析1.系统1)晶振起振区别

5、描述启动时间，GD32与STM32启动时间都是2ms，实际上GD的执行效率快，所以ST的HSE_STARTUP_TIMEOUT((uint16_t)0x0500)是2ms，但是这个宏定义值在GD上时间就更加短了，所以要加大这个值的设置解决方法将宏定义：#defineHSE_STARTUP_TIMEOUT((uint16_t)0x0500)修改为：#defineHSE_STARTUP_TIMEOUT((uint16_t)0xFFFF)备注：启动时间宏定义所在位置：1、在V3.X的库，其启动时间宏定义在stm32f10x.h头文件中（路径：

6、..LibrariesCMSISCM3）。（库版本的不同，所在目录也有所不同）2、在V3.0以前的库，其启动时间宏定义在stm32f10x_rcc.c源文件中(HSEStartUp_TimeOut)（路径：..LibrariesSTM32F10x_StdPeriph_Driversrc）。2)部分客户使用有源晶振出现问题，在GD32F103小容量产品，发现会在MCU的复位管脚一直把电平拉到0.89V，电平不能保持在高电平描述是由于部分有源晶振起振时间太快，复位信号还没有完成导致的解决方法就是在有源晶振的输入端与地之前并上

7、一个30pf电容3)GD32MCU主频支持108MHz高性能，在代码移植方面需要注意事项描述GD32通过芯片内部加大缓存，提高了相同工作频率下的代码执行速度，带来了高性能的使用体验。解决方法因此如果代码有用到for循环或while循环语句做精确定时的，定时时间会由于代码执行速度加快而使循环的时间变短。使用Timer定时器则没有影响。4)GD32F105/107系列MCU配置为108MHz有何不同描述通过Clockconfigurationregister(RCC_CFGR)中，第21：18位为PLLMUL[3:0]，再结合第29位PLL

8、MUL[4]组成5位的位域来确定PLL倍频系数，即通过软件配置来定义PLL的倍频系数，且PLL输出频率绝对不得超过最高主频(108MHz)。2.内部Flash1)芯片设置读保护用法描述由于GD的Flash是