红外晶体检测仪

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1、STIE600红外晶体检测仪--TRANSMILLTECHNOLOGIESINC.1110EastRiverParkwaySantaClara,CA95054Tel:408-5699192Fax:877-8322097为什么要红外检测Á多晶硅铸锭的过程中，由于原料、参杂、坩埚及温场控制等诸多原因会造成不同程度的缺陷产生，如：SiC颗粒、隐裂、空洞、微晶等。这些缺陷的存在不能制造合格的多晶硅太阳能电池片，而且对后道切片工序危害极大。因为SiC硬度极高，会使线锯断线，处理不好损失很大。Á如何在不损伤硅块的前提下检测出这些缺陷理论上有很多方法，用X光透视、超声波检测、红外透射

2、等是常用的方法。但综合考虑成本、工作环境、劳动保护、工作效率和操作便捷，红外透射的方法最合适。缺陷与红外透射率Á研究发现，硅块的透射率与硅块的表面粗糙程度有关，主要是因为红外光在硅与空气界面的反射造成，而且，硅块的裂缝、内部的空鼓会红外光的透射率减弱75%。ÁSiC颗粒、SiCN混合物、头尾区域金属含量高的区域，透射率很低。Á高浓度掺硼下红外透射率减弱。好的硅锭与差的硅锭Á当光源照射硅块时，若没有杂质，53%左右的红外光将穿透硅块，通过特殊的红外成像系统，我们会看到较透明的透射视图；若硅块中含有SiC、隐裂、空鼓及其他杂质，将会得到不同明暗程度、不同形状的阴影，观察硅块

3、的不同侧面，得到相应的透射图，我们可以准确地标注出缺陷的高度，并根据经验大致判断出缺陷的种类和形状。STIE600红外晶体检测仪型号：STIE600应用：多晶硅块检测检测尺寸：最大210mmX210mmX300mm电源：230V50/60HZ设备外观：1689mm长x837mm宽x1422mm高强大的软件功能—融合质量管理理念Á所见即所得的实时图像采集Á高清晰的图像显示Á环境背景去噪处理Á实时图像对比度增强、减弱Á辅助记忆录入功能Á即时标注，中文注释Á快捷键功能Á快速数据库查询Á目录式数据库维护Á文字报告功能Á打印报告功能Á全中文界面光学设计Á科学级摄像机：大于1200

4、线。功能强大，性能稳定，亮度、分辨率等关系图像质量的参数可调节。摄像机可以灵活调整，前后、上下、左右、聚焦。Á摄像机超强红外效率：红外接收率高达80%Á图像分辨率：768×576符合人体科学的机械设计Á尽可能减轻工人劳动强度Á放置硅块的平台可以手动旋转，以90度分档定位，可以加快检测速度。Á平台的操作空间够大，能够快速搬动硅块，也方便直接在硅块上划线。缺陷—微晶Á微晶在多晶硅锭凝固过程中由于硅熔体喘流引起在某些区域的微小晶粒，这些微晶会导致电池转换效率急剧下降。（照片中一整块黑的就是这种情形）缺陷—微晶缺陷—硬质点Á硬质点由硅原料带入的碳和石英坩埚内壁涂层氮化硅脱落，在

5、硅熔液中形成碳化硅和碳氮硅化合物，一般碳氮硅化合物在硅锭上层形成，而碳化硅则随机形成；这两种物质硬度非常大，导致切片过程中断线。缺陷—硬质点缺陷—硅裂Á硅裂硅锭在凝固过程中由于温度梯度的存在和不均匀性，导致热应力的存在，当热应力达到一定值后硅锭中会形成微小硅裂，而且在硅熔液中如果存在石英或石墨颗粒，由于材料热膨胀系数的差异而导致较大硅裂；硅裂的存在，会导致切片过程中硅片掉落，严重的还会损坏导轮。缺陷—硅裂