Untitled - 中

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1、目录一、IGBT模块31、Fuji62、Infineon153、Mitsubishi264、Semikron315、IGBT型号互换表386、IGBT频率参照表39二、整流二极管模块401、Semikron402、IXYS403、Sanrex424、整流二极管型号互换表42三、可控硅431、Semikron432、IXYS443、Sanrex454、可控硅型号互换表45四、电容461、CDE462、EACO543、EPCOS71五、快恢复二极管741、ON742、IXYS743、Fairchild754、APT（MICROSEMI）765、Dawi

2、n776、Fuji777、Infineon788、Sanrex78六、IGBT单管791、Fuji792、Fairchild793、Infineon804、ST845、Renesas87七、MOSFET891、IR（VISHAY）892、Toshiba893、Renesas91八、驱动9411、CONCEPT942、IDC97九、传感器981、LEM982、ABB993、森社100十、光产品及单片机1011、AVAGO光耦1012、VISHAY(威世)光耦1013、NEC光耦1014、Toshiba1025、光耦替换表1036、光纤组件1047、富

3、士通单片机104十一、电源模块1051、COSEL1052、明纬1053、金升阳106十二、风机1071、施乐百1072、ADDA1093、建准1124、洛森115附录、元件外形及封装图1171、IGBT常用封装尺寸图1172.整流二极管、整流桥常用封装尺寸图1213、可控硅封装尺寸图1234、通用封装外形图1252www.whkqdz.com027-87267976一、IGBT模块IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压

4、驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流也较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。目前常用的IGBT厂家主要有：富士、英飞凌、三菱、西门康四家。IGBT电路结构一单元半桥半桥+NTC三单元四单元四单元+NTC四单元-1四单元-2CHOPPER三相桥+NTC3www.whkqdz

5、.com027-87267976三相桥三相桥+NTC-1三相桥+NTC-2三相桥-1PIMPIM-1IPM六单元IPM七单元4www.whkqdz.com027-87267976DIP-IPM电路结构图5www.whkqdz.com027-872679761、Fuji富士电机功率半导体器件包括：IGBT、IPM、PIM、驱动电路、MOSFET、整流二极管模块、肖特基管、快恢复二极管、各类接触器、继电器、断路器、温控器、可编程序显示器（POD）等，品种齐全，应用极其广泛。其中，富士IGBT模块主要有N系列、P系列、S系列、U系列、U4系列、V系列、H

6、系列等多个产品系列，广泛应用于UPS/EPS、变频器、各种高频电源、电焊机、无功功率补偿等行业。注：产品型号中横线后的最后2位数为“50”到“99”的数字时，表示是RoHS(环保，无铅)对应产品。例如："7MBR50SB120-50"表示该产品为环保产品，性能与7MBR50SB120完全一致。1.1第三代N系列Ic(A)Vce(sat)tontoffRth(j-c)Pc产品型号封装电路结构Tc=25℃Max(V)(us)(us)K/W(W)VCES=600V2MBI50N-060502.80.60.60.5250M2322MBI75N-060752

7、.80.60.60.39320M2322MBI100N-0601002.80.60.60.31400M2322MBI150N-0601502.80.60.60.21600M233半桥2MBI200N-0602002.80.60.60.16780M2332MBI300N-0603002.80.60.60.111100M2332MBI400N-0604002.80.60.60.0851500M2352MBI600NT-0606002.90.60.60.052500M2381.2第三代P系列Ic(A)Vce(sat)tontoffRth(j-c)Pc产品

8、型号封装电路结构Tc=80℃Max(V)(us)(us)K/W(W)VCES=1200V1MBI600PX-1206003