替换进口VIP22的高性比电源驱动方案芯片VIPer22A

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1、VIPer22AAC/DCPWM功率开关V1.6VIPer22A概述特点VIPer22A是采用电流模式PWM控制方式的功率开关芯片，集成高压85Vac~265Vac宽电压输入启动电路和高压功率管，为低成本开关电源系统提供高性价比的解决方待机功耗小于120mW@220Vac案。集成高压启动电路芯片VDD的工作电压范围宽，很方便的应用于充电器领域。芯片提集成高压功率开关供了过温、过流、过压、欠压等保护功能，保证了系统的可靠性。60KHz固定开关频率9V~39V宽VDD工作电压范围管脚图电流模式PWM控制方式内置过温、过流、过压、欠压等保护功能VIPer22A兼容进口VIPe

2、r22管脚（不需要修改电路走线及变压器）DIP8DIP8封装形式：DIP8输出功率表输入电压85Vac~265Vac180Vac~265Vac输出功率12W20W注：输出功率10W以上，建议根据实际方案增加散热措施：应用领域增加独立散热片；其他散热措施。小功率充电器小功率适配器典型示意电路图待机电源Vou+EMIDVD、DVB以及其他便携式设备ACFilter电源Vout-1GNDDRAIN82GNDDRAIN7VIPer22A3FBDRAIN64VDDDRAIN5-1-VIPer22AAC/DCPWM功率开关V1.6内部方框图管脚说明名称管脚序号管脚说明GND1,2芯片地

3、，同时也是内置高压MOS管SOURCE端口FB3反馈输入端口VDD4芯片电源端，工作电压范围可达9V—39VDRAIN5,6,7,8内置高压MOS管的DRAIN，同时芯片启动时，也做芯片的启动-2-VIPer22AAC/DCPWM功率开关V1.6极限参数极限参数(TA=25℃)符号说明范围单位VDS(max)芯片DRAIN脚最高耐压-0.3~730VVDS(ST)芯片启动时，DRAIN脚最高耐压-0.3~400VVDD芯片电源电压-0.3～39VIvdd嵌位电流10mAIFB最大反馈电流3mAVESDESD电压>4000VTJ结温-40～150℃TSTG存储温度-55～150℃热阻参数符

4、号说明VIPer22A单位RthJA热阻(1)45℃/W注（1）：芯片要焊接在有200mm2铜箔散热的PCB板，铜箔厚度35um，铜箔连接到所有的GND脚。电气工作参数(除非特殊说明，下列条件均为TA=25℃，VDD=18V)范围符号说明条件单位最小典型最大BVDS漏源击穿电压730VIDSSDRAIN端关断态漏电流0.1mARDS(on)源漏端导通电阻ID=0.2A12OhmVDDONVDD开启电压1314.516VVDDOFFVDD关闭电压789VVDDHYSVDD迟滞阈值电压6.5VVDDOVPVDD过压保护阈值39VIDD1VDD工作电流IFB=2.0mA0.4mAIDD2VDD

5、工作电流IFB=0.5mA;ID=50mA1.0mAIDDCH芯片充电电流VDS=100V;VDD=5V-220uAFOSC芯片振荡频率60KHzGIDIFB/IDRAIN增益560ILIMIT峰值电流阈值VFB=0V700mAIFBSDFB关断电流0.9mARFBFB输入电阻ID=0mA1.23KohmTLEB前置消隐时间300nSTON(min)最小导通时间700nSTOVT过温保护温度150℃THYS过温迟滞阈值温度30℃-3-VIPer22AAC/DCPWM功率开关V1.6功能表述F1D7C2L15UH1A/250VacT140mHD1~D41N4007SR310022UF/40

6、0VVout+ACR156KC6C6712V/1A470UF470UFC3D5FR107C1102/1KVVout-0.1UF/275VR3U1VIPer22A470R1GNDDRAIN8D6R5FR10720K2GNDDRAIN7R4C51022.2K3FBDRAIN6C81044VDDDRAIN5R7100RU2C4PC817BU34.7UF/50VTL431R26.8KR65.1KY1102电路图说明上图中D1-D4、C2组成全波整流，D6、R1、C3组成RCD吸收回路，消除变压器T2漏感产生的尖峰电压，避免击穿VIPer22A内部的高压MOS管。输出部分U3、U2、R5、R6、

7、R3、R4、C8组成采样反馈电路，R5、R6决定系统的输出电压，输出电压VOUT等于：R5R6V2.5VOUTR6R3、R4限制U2光耦PC817B的电流，避免影响反馈回路。C8的加入使得系统反馈更加稳定，避免振荡。VDD电压部分VIPer22A芯片工作电压范围宽，达到9V——39V，此特性可以很方便的应用在某些特殊的领域，比如电池充电器等。当开关电源启动后，C2电容上的电压会通过T2原边线圈、芯片内部的高压启动MOS管向芯