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时间:2019-05-25
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1、Package--封装体:指芯片(Die)和不同类型的框架(L/F)和塑封料(EMC)形成的不同外形的封装体。ICPackage种类很多,可以按以下标准分类:按封装材料划分为:金属封装、陶瓷封装、塑料封装按照和PCB板连接方式分为:PTH封装和SMT封装按照封装外型可分为:SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等;按封装材料划分为:金属封装主要用于军工或航天技术,无商业化产品;陶瓷封装优于金属封装,也用于军事产品,占少量商业化市场;塑料封装用于消费电子,因为其成本低,工艺简单,可靠性高而占有绝大部分的市场份额;按与PCB板的连接方式划分
2、为:PTH-PinThroughHole,通孔式;SMT-SurfaceMountTechnology,表面贴装式。目前市面上大部分IC均采为SMT式的按封装外型可分为:SOT、QFN、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等;决定封装形式的两个关键因素:封装效率。芯片面积/封装面积,尽量接近1:1;引脚数。引脚数越多,越高级,但是工艺难度也相应增加;其中,CSP由于采用了FlipChip技术和裸片封装,达到了芯片面积/封装面积=1:1,为目前最高级的技术;QFN—QuadFlatNo-leadPackage四方无引脚扁平封装SOIC—SmallOut
3、lineIC小外形IC封装TSSOP—ThinSmallShrinkOutlinePackage薄小外形封装QFP—QuadFlatPackage四方引脚扁平式封装BGA—BallGridArrayPackage球栅阵列式封装ICPackageStructure(IC结构图)CSP—ChipScalePackage芯片尺寸级封装FOL–FrontofLine前段工艺FOL–BackGrinding背面减薄将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨,来减薄晶圆达到封装需要的厚度(8mils~10mils);磨片时,需要在正面(ActiveArea)贴胶带保护电路区
4、域同时研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;FOL–WaferSaw晶圆切割将晶圆粘贴在蓝膜(Mylar)上,使得即使被切割开后,不会散落;通过SawBlade将整Wafer切割成一个个独立的Dice,方便后面的DieAttach等工序;WaferWash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘,清洁Wafer;FOL–2ndOpticalInspection二光检查主要是针对WaferSaw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查,是否有出现废品。FOL–DieAttach芯片粘接芯片拾取过程:1、EjectorPin从wafer下方的Mylar顶起芯片,使之便于
5、脱离蓝膜;2、Collect/Pickuphead从上方吸起芯片,完成从Wafer到L/F的运输过程;3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F的Pad上,具体位置可控;4、BondHeadResolution:X-0.2um;Y-0.5um;Z-1.25um;5、BondHeadSpeed:1.3m/s;FOL–EpoxyCure银浆固化银浆固化:175°C,1个小时;N2环境,防止氧化。FOL–WireBonding引线焊接Capillary:陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个BondingTool,内部为空心,中间穿上金线,并分别在芯
6、片的Pad和LeadFrame的Lead上形成第一和第二焊点;EFO:打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温,将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形,以便在Pad上形成第一焊点(BondBall);BondBall:第一焊点。指金线在Cap的作用下,在Pad上形成的焊接点,一般为一个球形;Wedge:第二焊点。指金线在Cap的作用下,在LeadFrame上形成的焊接点,一般为月牙形(或者鱼尾形);W/B四要素:压力(Force)、超声(USGPower)、时间(Time)、温度(Temperature);FOL–3rdOptica
7、lInspection三光检查检查DieAttach和WireBond之后有无各种废品EOL–Molding(注塑)EMC(塑封料)为黑色块状,低温存储,使用前需先回温。其特性为:在高温下先处于熔融状态,然后会逐渐硬化,最终成型。Molding参数:MoldingTemp:175~185°C;ClampPressure:3000~4000N;TransferPressure:1000~1500Psi;TransferTime:5~15s;CureTime:60~120s;EOL–LaserMark(激光打字)在产品(Package)的正面或者背面激光刻字。内
8、容有:产品名称,生产日期,生产批次等;EOL–Pos
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