多晶硅的工艺与简介

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1、多晶硅的工艺与简介作者；应用物理何胜关键词多晶硅半导体材料工艺流程晶核结晶太阳能级多晶硅摘要本文首先介绍何谓多晶硅，以及多晶硅的一些性质及制造的工艺流程，和在生产中带来的一些危害。接着会介绍多晶硅的利用价值和工业发展前景。最后会介绍些国际多晶硅的概况。正文多晶硅多晶硅;polycrystallinesilico，多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅具有灰色金属光泽，密度2.32~2.34，熔点1410℃，沸点2355℃。溶于氢

2、氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学

3、性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。制造多晶硅的原料与方法多晶硅的制造方法不同，原料也就不同。除了改良西门子方法外还有浇铸法、直熔法、硅烷热分解法、流化床法等。1、浇铸法浇铸法于1975年由Wakcer公司首创并用来制备多晶硅材料，其工艺过程是将硅料置于预熔坩埚内融化，而后利用翻转机械将其注入预先准备好的凝固坩埚内进行结晶，结晶时必须控制

4、固液界面的温度梯度，保证固液界面在同一平面上，最终使硅熔体结晶。浇铸法工艺成熟，这杯简单，易于操作控制，且能实现半连续化生产，其熔化、结晶、冷却都分别位于不同的地方，有利于生产效率的提高和能耗的降低。由于浇铸法所使用的坩埚材料多为石墨、石英等，并且熔化和结晶使用不同的坩埚，硅锭二次污染严重，所以用该法制备的多晶硅杂质元素的含量较高，同时受熔炼坩埚及翻转机械的限制，炉产量较小。为了降低坩埚对硅锭的污染，研究者提出了一种改进方法，在坩埚内壁涂上si3n4膜层，以降低来自坩埚杂质的玷污，同时si3n4涂层还能起到一定的润滑脱模作用，因为硅熔体在高温时与石墨翻发生反应

5、，加之硅凝固过程中的体膨胀作用，容易造成硅锭与石墨模具的粘连，冷却后难以脱模，使用si3n4涂层后硅熔体和坩埚内壁不粘连，这样既可以降低凝固时产生的大量应力又能多次使用坩埚，从而降低了生产成本。2、直熔法直熔法即定向凝固法，通常指的是在同一个坩埚中熔炼。利用杂质元素在固相与液相中的分凝效应达到提纯的目的，同时通过单向热流控制，使坩埚中的熔体到达一定温度梯度，从而获得沿着生长方向整齐排列的柱状晶体组织。依据控制硅熔体热流方向的不同，定向凝固法主要分热交换法和布里奇曼法。热交换法的基本原理是在坩埚上冷却水或气进行强制冷却从而使熔体自上向下定向散热；布里奇曼法是在坩

6、埚底板上通过冷却水或气进行强制冷却，从而使熔体自上向下定向散热，布里奇曼法是将坩埚一一定的速度移出热源区域，从而建立起定向凝固条件。1、硅烷法——硅烷热分解法硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。3、流化床法以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应

7、炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。4、太阳能级多晶硅新工艺技术除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外，还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。1）冶金法生产太阳能级多晶硅选择纯度较好的工业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅

8、锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗