3.晶圆的处理—微影成像与蚀刻

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1、晶圓的處理－微影成像與蝕刻光蝕刻技術微影成像（phtlithhotolithography）步驟塗敷光阻劑溶解度會隨曝光程度改變曝光改變光阻劑溶解度顯影去除溶解度較高的光阻劑蝕刻移除未被光阻劑覆蓋的晶圓外膜剝除光阻劑擴散等表面處理光阻劑（photoresist）•對顯影劑溶解度會隨曝光程度改變•不會被蝕刻劑或蝕刻製程侵蝕•可用剝除劑移除塗敷光阻劑Stepper（步進攝影機）光罩，遮罩，罩遮（mask）塗敷顯影劑顯影正型負型對準符號溼式蝕刻常用蝕刻劑•氧化膜（SiO）：2–HF–HF+NHF4•氮化膜（SiN）：HPO3434•多晶矽：HF+

2、HNO+3CHCOOH+I32乾式蝕刻（乾蝕）平板乾蝕機特徵尺寸的縮小化成像光源光波氟化氫（HF）危害•使用場合：蝕刻於氧化或磊晶過程中於晶圓表面所生成的二氧化矽•使用方法：–於逐漸升溫中使用49%溶液–與氟化銨（NHF）混合為BOE4（BufferedOxideEtch）•危害狀況：–在1980年代末之前經常發生燒傷–近年已不常發生，原因為•強化作業人員之認知•工作方式改善•化學處理廢氣方式之改善•乾蝕之採用•特性–在稀釋使用時視為弱酸–外觀不易與清水區分–被稀釋溶液燒傷後不立即感覺疼痛–燒傷程度隨接觸時間增加而增加–可穿透皮脂層直達皮膚

3、深部與皮下組織–氟離子侵蝕組織並與組織表面結合–氟離子可對酵素與細胞膜造成傷害–必須待所有的氟離子反應後方能使燒傷程度不再持續提升•輕度燒傷治療方式–立即以清水沖洗10-15分鐘，稀釋並消毒–以含25%calciumgluconate2.5%calciumgluconate軟膏塗抹並摩擦燒傷部位，使深入內部–較嚴重的燒傷則使用注射方式•燒傷防止措施：–抗酸手套，並經使用前檢查–作業場所清理–加強訓練–不輕易接觸作業台上不明液體（可使用HF試棒）化學防護手套•防護對象：可經由皮膚接觸造成危害的物質–酸類：尤其是HF–有機溶劑：尤其是乙二醇醚（

4、glycolether）–毒性物質：砷、銻、鉛等–特殊化性物質：NMP（或M-Pyrol,n-mythyl-2-pyrrolidone）與HMDS（hexa-methyl-disi-lazane）•直接接觸化學物品的場合：–例行維護–設備或工作表面清理–材料轉送–濺出液清理–洩漏–容器與設備中的殘存物質–廢物與容器的終端處理–製程設備停用•接觸化學物質的形式：–短期意外接觸與潑濺（較常發生）–長期浸泡•手套材料：乙烯、PVC或天然橡膠•一般準備方式：乳膠抗酸手套加上抗溶劑手套•檢查方式：–性能檢定：滲透率與破過時間–使用檢查：•充水檢視滲漏

5、•充氮氣檢視維持膨脹時間•影響性能的因素：–混合物質–環境因素–材料可能因接觸化學物質而降低抵抗能力•更換手套時機：–手套內潮濕或手部發炎等疑似穿透發生時–當班工作結束