欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:37469072
大小:47.00 KB
页数:9页
时间:2019-05-24
《LED应用于照明领域的可靠性及成本分析》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、LED应用于照明领域的可靠性及成本分析 近年来,由于LED的技术发展迅速,主要性能指标有很大提高,目前LED器件的发光效超过200lm/W,产业化水平达110~120lm/W,可以作为光源在照明领域推广应用,目前已进入室外景观照明、功能性照明、商用照明等领域。在应用过程中,有几个主要技术和成本问题,如LED照明灯具的能效还不高,LED白光的光色在某些照明场合还不合适,LED灯具的可靠性还不高,有些产品寿命很短,另外LED灯具的价格目前普遍偏高等,这些问题有待进一步解决和提高。业界同行对LED光源的
2、可靠性和成本问题比较重视,均在努力解决之中。本文也将着重对这两个问题进行较为详细的描述及分析。 一、LED照明灯具可靠性 有关LED照明灯具的分类、性能指标及可靠性等,美国“能源之星”中已有很具体的规定[1],可靠性指标中,主要规定LED照明灯具寿命3.5万小时,在全寿命期内色度变化在CIE1976(u,v)中0.007以内。美国SSL计划中规定白光LED器件寿命在2010-2015年中为5万小时。国内对LED照明灯具的寿命要求一般也提到3~3.5万小时。 上述提到LED灯具寿命和色保持度的
3、指标,从目前来看是很高的,实际上很多LED灯具还达不到这个要求,因为LED灯具所涉及的技术问题很多、很复杂,其中主要是系统可靠性问题,包含LED芯片、封装器件、驱动电源模块、散热和灯具的可靠性。以下分别对这些问题进行分析: 1.LED灯具可靠性相关内容介绍 在分析LED灯具可靠性之前,先对LED可靠性有关的基本内容作些介绍,将对LED灯具可靠性的深入分析有所帮助。 (1)本质失效、从属失效 LED器件失效一般分为二种:本质失效和从属失效。本质失效指的是LED芯片引起的失效,又分为电漂移和离
4、子热扩散失效。从属失效一般由封装结构材料、工艺引起,即封装结构和用的环氧、硅胶、导电胶、荧光粉、焊接、引线、工艺、温度等因素引起的。 (2)十度法则 某些电子器件在一定温度范围内,温度每升高10℃,其主要技术指标下降一半(或下降1/4)。实践证明,LED器件热沉温度在50℃至80℃时,LED寿命值基本符合十度法则。最近也有媒体报道:LED器件温度每上升2℃,其寿命下降10%,当温度从63℃上升至74℃时,平均寿命下降3/4。因为器件封装工艺不同,完全可能出现这种现象。 (3)寿命的含义 L
5、ED寿命是指在规定工作条件下,光输出功率或光通量衰减到初始值的70%的工作时间,同时色度变化保持在0.007内。 LED平均寿命的意义是LED产品失效前的工作时间的平均值,用MTTF来表示,它是电子器件最常用的可靠性参数。 可靠性试验内容包括可靠性筛选、环境试验、寿命试验(长期或短期)。我们这里所讨论的只是寿命试验,其他项目暂不考虑。 (4)长期寿命试验 为了确认LED灯具寿命是否达到3.5万小时,需要进行长期寿命试验,目前的做法基本上形成如下共识:因GaN基的LED器件开始的输出光功率不
6、稳定,所以按美国ASSIST联盟规定,需要电老化1000小时后,测得的光功率或光通量为初始值。之后加额定电流3000小时,测量光通量(或光功率)衰减要小于4%,再加电流3000小时,光通量衰减要小于8%,再通电4000小时,共1万小时,测得光通量衰减要小于14%,即光通量达到初始值的86%以上。此时才可证明确保LED寿命达到3.5万小时。 (5)加速(短期)寿命试验 电子器件加速寿命试验可以在加大应力(电功率或温度)下进行试验,这里要讨论的是采用温度应力的办法,测量计算出来的寿命是LED平均寿
7、命,即失效前的平均工作时间。采用此方法将会大大地缩短LED寿命的测试时间,有利于及时改进、提高LED可靠性。加温度应力的寿命试验方法在文章[2]中已详细论述,主要是引用“亚玛卡西”(yamakoshi)的发光管光功率缓慢退化公式,通过退化系数得到不同加速应力温度下LED的寿命试验数据,再用“阿伦尼斯”(Arrhenius)方程的数值解析法得到正常应力(室温)下的LED的平均寿命,简称“退化系数解析法”,该方法采用三个不同应力温度即165℃、175℃和185℃下,测量的数据计算出室温下平均寿命的一致
8、性。该试验方法是可靠的,目前已在这个研究成果上,起草制定“半导体发光二极管寿命的试验方法”标准,国内一些企业也同时研制加速寿命试验的设备仪器。 2.LED器件可靠性 LED器件可靠性主要取决于二个部分:外延芯片及器件封装的性能质量,这二种失效机理完全不一样,现分别叙述。 (1)外延芯片的失效 影响外延芯片性能及质量的,主要是与外延层特别是P-n结部分的位错和缺陷的数目和分布情况,金属与半导体接触层质量,以及外延层及芯片表面和周边沾污引起离子数目及状况有关。芯片在加热加电条件
此文档下载收益归作者所有