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时间:2019-05-12
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1、电工学电子技术下册期末总复习第一篇电子器件与电子电路基础本篇的主要内容半导体材料本征半导体P型、N型半导体PN结半导体二极管半导体二极管(一个PN结)二极管的外特性、主要电参数二极管电路组成及电路分析第一章半导体二极管及电路分析结构,导电机理外特性,主要电参数放大电路、开关电路组成及其电路分析晶体三极管(二个PN结)CCCS场效应管(电场控制器件)VCCS结构,导电机理外特性,主要电参数放大电路、开关电路组成及其电路分析1.1.1半导体二极管的结构、特性与参数一、二极管的结构与类型二极管由一个PN结,加相应的电极引线和管壳封装而成。电路符号(P)(N)空心三角
2、形箭头表示实际电流方向:电流从P流向N。本征半导体的电特性硅单晶体的原子结构排列的非常整齐;每个原子外层的四个电子与相邻四周的原子外层电子形成稳定的共价键结构;绝对零度时,价电子无法争脱本身原子核束缚,此时本征半导体呈现绝缘体特性;在室温下,本征半导体非常容易受热激发产生电子—空穴对;这时的载流子浓度称本征浓度,本征浓度随温度的上升而增大,所以本征载流子浓度是温度的函数。二极管杂质半导体N型半导体(主要载流子为电子,电子半导体)P型半导体(主要载流子为空穴,空穴半导体)扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,空间电荷区越宽。漂移运动P型半导体-------------
3、-----------N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场EPN结处载流子的运动内电场越强,就使漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。伏安特性UI导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压U(BR)死区电压硅管0.5V,锗管0.2V。UIE+-反向漏电流(很小,A级)稳压二极管IZmax+-稳压二极管符号UIUZIZ稳压二极管特性曲线IZmin当稳压二极管工作在反向击穿状态下,当工作电流IZ在Izmax和Izmin之间时,其两端电压近似为常数正向同二极管稳定电流稳定电压二极管的用途:1.整流:将正弦交流信号变
4、为单向信号2.检波:将周期非正弦信号变为单向信号3.钳位:二极管一端与固定电位相连接,另一端不高于(低于)该电位。不同方向钳位构成限幅电路4.开关:用于数字电路5.元件保护:二极管反向并联,限制其端电压6.温度补偿:利用半导体的温度特性三极管特性曲线ICmAAVVUCEUBERBIBUSCUSB实验线路(共发射极接法)CBERC输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A当UCE大于一定的数值时,IC只与IB有关,IC=IB,且IC=IB。此区域称为线性放大区。此区域中UCEUBE,集电结正偏,IB>
5、IC,UCE0.3V称为饱和区。此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压,,称为截止区。截止区发射结和集电结均反偏硅管0.5V,锗管0.1V等效电路饱和区发射结正偏,集电结正偏当集电结零偏(vCB=0)时称为临界饱和。VCES称饱和压降,ICS称集电极饱和电流,IBS称基极临界饱和电流。当iB>IBS时,三极管进入深饱和。IBSICSVCES饱和区模型临界饱和:VCES=0.7V,深度饱和:VCES≈0.3V等效电路简化等效电路放大区发射结正偏,集电结反偏特征是iC仅受iB控制,与vCE的大小基本无关。等效电路输出特性三个区域的特点:(1)放大区BE结正偏
6、,BC结反偏,IC=IB,且IC=IB(2)饱和区BE结正偏,BC结正偏,即UCEUBE,IB>IC,UCE0.3V(3)截止区UBE<死区电压,IB=0,IC=ICEO0输出回路方程输出特性曲线双极型和场效应型三极管的比较双极型三极管场效应三极管结构NPN型结型耗尽型N沟道P沟道PNP型绝缘栅增强型N沟道P沟道绝缘栅耗尽型N沟道P沟道C与E一般不可倒置使用D与S有的型号可倒置使用载流子多子扩散少子漂移多子漂移输入量电流输入电压输入控制电流控制电流源CCCS(β)电压控制电流源VCCS(gm)双极型三极管场效应三极管噪声较大较小温度特性受温度影响较大较小
7、,可有零温度系数点输入电阻几十到几千欧姆几兆欧姆以上静电影响不受静电影响易受静电影响集成工艺不易大规模集成适宜大规模和超大规模集成第2篇数字电路和系统令开关闭合和灯亮为逻辑“1”,开关断开和灯暗为逻辑“0”时,有如表所示的真值表。1.“与”逻辑关系及运算决定结果成立的所有条件都具备时,结果才成立,这种条件与结果之间的关系称为“与”逻辑。以二只串联开关控制一只电灯为例,只有当二只开关都闭合时,电灯才亮。ABL000010100111该“与”逻辑关系也可写成逻辑表达式形式。“与”逻辑关系用“与”门逻辑符号表示:从逻辑运算上,是逻辑乘关系,0×
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