材料分析方法 第3版 习题答案 作者 周玉 模拟试卷五及答案.doc

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1、《材料分析方法》模拟试卷五一、基本概念题（共8题，每题7分）1．若X射线管的额定功率为1.5kW，在管电压为35kV时，容许的最大电流是多少？2．证明（）、（）、（）、（01）、（12）晶面属于[111]晶带。3．当X射线在原子例上发射时，相邻原子散射线在某个方向上的波程差若不为波长的整数倍，则此方向上必然不存在放射，为什么？4．某一粉末相上背射区线条与透射区线条比较起来，其θ较高抑或较低？相应的d较大还是较小？5．已知Cu3Au为面心立方结构，可以以有序和无序两种结构存在，请画出其有序和无序结构[001]晶带的电子衍射花样，并标定出其指数。6．（1）试说明电子束入射固体样品表面激发的主要

2、信号、主要特点和用途。（2）扫描电镜的分辨率受哪些因素影响?给出典型信号成像的分辨率，并说明原因。（3）二次电子（SE）信号主要用于分析样品表面形貌，说明其衬度形成原理。（4）用二次电子像和背散射电子像在显示表面形貌衬度时有何相同与不同之处?7．何为偏离参量S？试分别画出s+g=s-g，s+g=0以及s+g>0时产生电子衍射的厄瓦尔德球构图。8．请说明孪晶的一般衬度特征。二、综合及分析题（共4题，每题11分）1．试从入射光束、样品形状、成相原理、衍射线记录、衍射花样、样品吸收与衍射强度（公式）、衍射装备及应用等方面比较衍射仪法与德拜的异同点。2．试述X射线衍射物相分析步骤？及其鉴定时应注意

3、问题？3．菊池线产生的原因是什么？表现出什么样的几何特征？请画出不同取向条件下发生菊池线衍射和斑点衍射的厄瓦尔德球构图，以及菊池线对与衍射斑点的相对位置图。4．已知衍衬动力学理论的衍射强度表达式为式中，，其中s为偏移参量，ξg为消光距离，请讨论等厚消光与等倾消光现象，并与运动学理论比较。参考答案一、基本概念题（共8题，每题7分）1．若X射线管的额定功率为1.5kW，在管电压为35kV时，容许的最大电流是多少？答：1.5kW/35kV=0.043A2．证明（）、（）、（）、（01）、（12）晶面属于[111]晶带。答：根据晶带定律公式Hu+Kv+Lw=0计算（）晶面：1×1+1×+0×1=1

4、—1+0=0（）晶面：1×1+1×+1×1=1—2+1=0（）晶面：×1+2×1+1×1=（—3）+2+1=0（01）晶面：0×1+×1+1×1=0+（—1）+1=0（12）晶面：1×1+×1+1×2=1+（—3）+2=0因此，经上五个晶面属于[111]晶带。3．当X射线在原子例上发射时，相邻原子散射线在某个方向上的波程差若不为波长的整数倍，则此方向上必然不存在放射，为什么？答：因为X射线在原子上发射的强度非常弱，需通过波程差为波长的整数倍而产生干涉加强后才可能有反射线存在，而干涉加强的条件之一必须存在波程差，且波程差需等于其波长的整数倍，不为波长的整数倍方向上必然不存在反射。4．某一粉末

5、相上背射区线条与透射区线条比较起来，其θ较高抑或较低？相应的d较大还是较小？答：背射区线条与透射区线条比较θ较高，d较小。产生衍射线必须符合布拉格方程2dsinθ=λ，对于背射区属于2θ高角度区，根据d=λ/2sinθ，θ越大d越小。5．已知Cu3Au为面心立方结构，可以以有序和无序两种结构存在，请画出其有序和无序结构[001]晶带的电子衍射花样，并标定出其指数。答：如图所示：6．（1）试说明电子束入射固体样品表面激发的主要信号、主要特点和用途。（2）扫描电镜的分辨率受哪些因素影响?给出典型信号成像的分辨率，并说明原因。（3）二次电子（SE）信号主要用于分析样品表面形貌，说明其衬度形成原理

6、。（4）用二次电子像和背散射电子像在显示表面形貌衬度时有何相同与不同之处?答：（1）背散射电子:能量高；来自样品表面几百nm深度范围；其产额随原子序数增大而增多.用作形貌分析、成分分析以及结构分析。二次电子:能量较低；来自表层5－10nm深度范围；对样品表面状态十分敏感.不能进行成分分析.主要用于分析样品表面形貌。吸收电子:其衬度恰好和SE或BE信号调制图像衬度相反;与背散射电子的衬度互补.吸收电子能产生原子序数衬度，即可用来进行定性的微区成分分析.透射电子：透射电子信号由微区的厚度、成分和晶体结构决定.可进行微区成分分析.特征X射线:用特征值进行成分分析，来自样品较深的区域俄歇电子:各元

7、素的俄歇电子能量值低；来自样品表面1－2nm范围。适合做表面分析.（2）影响因素:电子束束斑大小,检测信号类型,检测部位原子序数.信号二次电子背散射电子吸收电子特征X射线俄歇电子分辨率5～1050～200100～1000100～10005～10入射电子在被样品吸收或散射出样品表面之前将在这个体积中活动。对轻元素，电子束与样品作用产生一个滴状作用体积。AE和SE因其本身能量较低，平均自由和平度很短，因此，俄歇电子的激发表层