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时间:2019-05-22
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1、万方数据第20卷第1期振动工程学报V。1.20No.12007年2月JournalofVibrationEngineering‘Feb.2007基于PVDF压电传感器测量振动结构体积位移吴锦武,姜哲(江苏大学振动噪声研究所,江苏镇江212013)摘要:控制振动板结构的体积位移是降低结构总声功率的一种有效策略。本文E2212程常见四端位移为零的振动板为例,提出一种新的压电式传感器的设计方法测量体积位移。利用正弦函数展开近似表示固定板振动位移,通过设计特殊形状的PVDF压电薄膜,使PVDF输出信号为所需要的振动结构体积位移。结果表明这种体积
2、位移传感器不仅适用四边简支、四边固定以及介于两者之问的边界条件板结构,而且作为一种误差传感器测量振动结构体积位移是可行的。并对实验数据进行了分析比较。关键词:振动控制;压电式传感器;体积位移;测量中图分类号:TB535文献标识码:A文章编号:1004—4523(2007)01一0073一06引言近几年来,压电式传感器(piezoelectricsensor)在测量和控制结构噪声中的应用越来越引起关注[1~4]。压电式传感器测量的是结构的振动信息,而声功率为振动结构表面法向速度的函数,表面法向速度的分布不同,其对声功率的贡献也不同。所以,
3、合理压电式传感器输出必须考虑结构与介质之间的耦合,使传感器只测量到对声辐射有贡献的结构振动。Elliott等提出控制振动结构体积位移(volumedisplacement)是降低振动结构总声功率的一种有效策略[5~6]。随后有众多学者通过设计多条特定形状的高分子压电薄膜(polyvinylidenefluoride,PVDF),对体积位移的测量进行了大量研究[7’8]。PVDF压电薄膜作为传感器与传统加速度传感器相比,不仅对结构振动特性影响小,最重要的特点就是它的模态过滤作用,通过对信号的积分处理,滤除不需要的部分,保留预先设计的结果。
4、但这些传感器设计多数针对某一振动结构进行研究,而对于工程常见的四端位移为零的振动板结构(如四边固定板和介于四边简支与固定之间的板结构)研究至今还没有。本文以工程常见的固定板结构为例,利用正弦函数展开近似表示固定板振动位移,通过设计少数特定形状的PVDF压电传感器来获得其体积位移,收稿日期:2006—01—19;修订日期:2006—06—05基金项目:国家自然科学基金资助(50475120)从数值计算和实验上对结果进行了分析。1基本理论考虑一固定平板S以倒圆频率振动,放置在无穷大刚性障板上,长厶,宽L,,厚度h。根据振动分析理论,其结构模
5、态(振型函数)可表示为[93蛾.。(z,y)=X。(z)Y。(∥)X,Y∈S(1)式中Ⅻz)“(害)_[m川Ⅳ(¨]H(等j(2)y心)一t,(雩)_[姒)/H∽)]Ⅳ(雩)(3)其中X。(z),Y。(y)分别为z,Y方向结构模态;俄,竹分别为z,Y方向的结构模态数;J(“)=cosh(“)一COS(“),H(“)=sinh(“)--sin(甜);A,。和A。是方程cosh(a)cos(A)一1的解。在固定板上(z。,Y。)处施加外激励,F为激励力幅值的大小。取截断模态数,最大分别为M,N。振动位移U(x,y,co)用结构模态展开表示为
6、U(z,j,,cu)一∑∑(A⋯(∞)西。。(z,y))一∑∑A⋯(叫)x。(z)y。(y)=∑∑—[-D(I而掰箍苦‰phw一1216-1蹦洲如)1J2+2J3,4+J5J6)一2一一⋯⋯。。(4)式中J。,J。,j。,,。,,。,,。和A⋯(叫)的表达式见参考万方数据74振动工程学报第20卷文献[9-I。根据参考文献[7,lO],振动结构体积位移D(oJ)为位移在整个板表面的积分。即D(叫)一j:fsU(x,y,w)dS(5)从声辐射模态理论可知,体积位移与第1阶声辐射模态的幅值成正比山],低频第1阶声辐射模态对声功率起主要贡献匝1
7、2]。Berry进一步指出[引,当作用在振动结构上激励力的无量纲频率kl。《1,体积位移所对应的辐射声功率占总声功率Ⅳ(叫)的绝大部分,此时振动结构辐射的声功率Ⅳ可近似表示为Ⅳ(∞)≈警(D(叫))z(6)4,【f0式中k=叫知为结构波数;叫为激励力频率,f为声速;lD。为空气的密度。由式(6)可知,低频时振动结构辐射的声功率与体积位移有直接关系,如果抵消了体积位移,就能使声功率明显降低。2PVDF压电传感器设计由式(4)可知:固定板位移函数表达式比较复杂,直接利用式(4)来数值计算比较麻烦。考虑到固定板z,Y两端位移为0,这就启发作者
8、以正弦函数展开近似表示固定板振动位移。即固定板位移近似分布U(z,Y,oJ)表示为“c⋯牡妾耋B,,k(w)sinUYik1(善H喾y)(z,∽=∑∑{等岫f半}j一1一\一4,、一一,(7)令式(4)等于
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