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《太赫兹高速无线通信体制、技术与验证系统》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第12卷第1期太赫兹科学与电子信息学报Vo1．12，No．12014年2月JournalofTerahertzScienceandElectronicInformationTechnologyFeb．，2014文章编号：2095-4980(2014)01-0001-13太赫兹高速无线通信：体制、技术与验证系统a,ba,ba,ba,ba,ba,b张健，邓贤进，王成，林长星，陆彬，陈琦(中国工程物理研究院a.电子工程研究所；b.太赫兹研究中心，四川绵阳621999)摘要：对太赫兹高速无线通信的国内外现状和发展趋势进行了全面的综述与分析。首先介绍了太赫兹通信的特点、频段和调制体制。在此基础上详细
2、讨论了太赫兹无线通信的关键技术，包括太赫兹产生和功率放大技术、太赫兹接收检测技术、太赫兹调制解调技术、太赫兹传输技术、太赫兹高速通信数据流和网络协议技术、太赫兹集成微系统技术；然后重点介绍了日本、德国、美国和中国的几个典型的太赫兹通信验证系统；最后对太赫兹高速无线通信的应用和发展进行了展望。关键词：太赫兹；无线通信；调制；倍频；太赫兹单片集成电路；功率放大；集成微系统中图分类号：TN78文献标识码：Adoi：10.11805/TKYDA201401.0013Terahertzhighspeedwirelesscommunications:systems,techniquesanddemon
3、strationsa,ba,ba,ba,ba,ba,bZHANGJian，DENGXian-jin，WANGCheng，LINChang-xing，LUBin，CHENQi(a.InstituteofElectronicEngineering；b.TerahertzResearchCenter，ChinaAcademyofEngineeringPhysics，MianyangSichuan621999，China)Abstract：Thepresentresearchstateandfuturedevelopmenttendencyofterahertzhighspeedwirelessc
4、ommunicationathomeandabroadarereviewedandanalyzedcomprehensively.Firstly,thefeatures,frequencybandandmodulationmodeofterahertzcommunicationsareintroduced.Andthenthekeytechniquesofterahertzcommunications,includingterahertzgeneration,amplifier,detection,modulation/demodulationandtransmissionarediscu
5、ssed,aswellashighspeeddatastreamconstruction,networkprotocolsandintegratedmicrosystemstechnology.SeveraltypicalterahertzcommunicationdemonstrationsystemsdevelopedinJapan,Germany,AmericaandChinaarealsohighlighted.Perspectivesontheapplicationsofterahertzhighspeedwirelesscommunicationandfurtherresear
6、chdirectionsarepresentedatlast.Keywords：terahertz；wirelesscommunication；modulation；frequencymultiplication；TerahertzMonolithicIntegratedCircuit；poweramplifier；integratedmicrosystems太赫兹(Terahertz，THz)波是指频率为0.1THz~10THz、波长为3mm~30μm的电磁波，其频段介于毫米波与远红外光之间。太赫兹科学技术发展至今，大致经历了三个阶段：第一阶段始于上世纪中后期天文学领域对太赫兹光谱及其检
7、测技术的研究(至今仍是太赫兹的一个重要研究方向)，当时还不叫“太赫兹”，一般称为“亚毫米波”或“远红外光”；第二阶段是20世纪90年代以来，由于飞秒激光、光电导开关、光整流等技术的发展，超宽谱太赫兹源、时域光谱分析、光谱成像等技术迅速发展并开始得到一定应用，同时自由电子激光、量子级联激光、气体激光等太赫兹源也得到较大发展，形成了太赫兹光电子学与太赫兹光子学等重要研究方向；第三阶段是近10年来，基于III-V簇化合物半导体
