微电子工艺课件1zhang

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1、授课教师：张建国讲师办公室：211楼1101房间电话：028－83203830，13228219016E-mail:si_laser@uestc.edu.cnjgzhang@semi.ac.cn电子科技大学课程中心http://222.197.164.43/webapps/login/关于更新课程中心登录密码的通知：各位老师、同学：课程中心已于上学期期末进行了系统升级，并与信息门户网站实现了密码统一。自即日起，登录课程中心的用户帐号不变，仍为工资号或学号，密码与信息门户网站的登录密码一致。信息门

2、户网站初始登录密码：1）15位身份证号码：取最后6为密码;18位身份证号码：取去掉最后1位的倒数6位为密码2）如按照1）的规则输入密码无法登录，请尝试用工资号或者学号为密码登录。如果您遗忘了密码，可以找回。http://portal.uestc.edu.cn/校园信息门户研究领域：硅基集成光电子学（Silicon-basedOEIC）研究方向：硅基高效发光材料与器件，包括1、硅基掺铒光波导放大器（EDWA)2、硅基电注入激光器参考：http://www.intel.com/go/sp/http:

3、//photonics.mit.edu/http://www.ece.ucsb.edu/uoeg/问题：1、半导体工业发展到现在有哪几项革命性的器件？2、为什么单个MOS管运算速度可达万亿（皮秒）次，但是单CPU主频（10亿次）最近几年很难继续往上提升？CPU芯片中金属连线长度的演化摩尔定律（每隔18个月集成度增加一倍，性能也将提升一倍）RCtimeconstantsR=ρL/AC=kA/d金属连线瓶颈（电子是传输信号的载体）硅基光电集成片上系统(SOC)所需的电子学单元和光子学单元课堂纪律鼓励

4、提问、非常感谢提出宝贵的建议来去自由可以睡觉，可以说话，但不能超过40分贝不能干扰课堂教学拒绝舞弊上课安排第1周~第8周每周4学时周二5、6节二教104周五1、2节二教104相关课程：微电子工艺实验微电子器件教学目标通过本课程的学习，使学生在微电子技术方向上打下深厚的工艺基础；了解半导体产业状况及技术发展动态；理解微电子器件和集成电路制造先进工艺技术；掌握氧化、光刻、刻蚀、扩散、离子注入、沉积等各种单项工艺技术的基本原理、方法和主要特点；掌握工艺集成的特点以及微电子器件和集成电路制造的基本工艺流

5、程。课程内容安排和要求绪论：半导体产业介绍、器件技术、硅和硅片制备、硅片清洗。了解集成电路产业状况及技术发展动态；单项工艺：氧化原理、SiO2结构、性质和用途、SiO2－Si界面及掺氯氧化、扩散原理、杂质扩散机制、杂质的扩散分布、磷的液态源扩散、硼的涂源扩散以及两步扩散工艺、薄膜的特性、化学气相沉积原理、化学气相沉积CVD生长过程、化学气相沉积工艺、外延、光刻工艺原理、光刻工艺的8个基本步骤、光刻胶、对准与曝光、光学光刻、焦深及套准精度、干法刻蚀、干法刻蚀过程、干法刻蚀系统及其刻蚀机理、干法刻蚀

6、系统、反应离子刻蚀（RIE）机理、离子注入工艺原理、离子注入浓度分布、离子注入设备、离子注入效应、沟道效应、注入损伤、离子注入退火、电子束蒸发系统的组成、磁控溅射系统的组成、电子束蒸发的工艺过程、磁控溅射的工艺过程、先进的金属化技术、现代集成电路对金属膜的要求、传统的平坦化技术、化学机械平坦化、CMP的机理、CMP的优点。了解设备结构及工作原理，掌握各单项工艺技术的基本原理、方法和主要特点。课程内容安排和要求工艺集成：4～6μm双极集成电路工艺技术、典型双极型IC工艺流程、早期2.0～3.0μm

7、CMOSIC工艺技术、单阱（P阱）工艺流程、现代0.18μmCMOSIC工艺技术。了解现代先进的0.18μmCMOSIC工艺技术及其特点、方法，掌握典型基本的CMOSIC工艺技术及工艺流程。实践性教学环节和要求：实验1、微电子器件制造工艺实验（6学时）：掌握集成电路工艺中氧化、光刻、扩散、蒸发等基本工序的生产过程，了解各工艺参数的选取原则。实验2、测试实验（2学时）：了解中测探针台的使用方法，掌握四探针测试仪和晶体管特性图示仪的使用方法。实验3、微电子器件版图设计实验（8学时）：了解微电子器件的

8、版图设计规则，掌握L-Edit的使用方法，并使用L-Edit完成一个实际器件的版图设计。考核方式：平时考核：考核到课率、交作业情况，平时成绩占总成绩的10％期末考核：采用开卷考试，期末考试占总成绩的90％建议教材和参考资料：1、建议教材：《半导体制造技术》中文版，韩郑生等译，电子工业出版社2004，国外电子与通信教材系列。2、参考资料：①《集成电路工艺基础》，王阳元等编著，高等教育出版社。②《微电子制造科学原理与工程技术》，StephenA.Campbell著，电子工业出版社，国外电子与通信教材